[发明专利]雪崩光电二极管及制备方法在审

申请号：	201910316863.2	申请日：	2019-04-18
公开（公告）号：	CN110112249A	公开（公告）日：	2019-08-09
发明（设计）人：	王亮;张博健;秦金;何伟	申请（专利权）人：	中国科学技术大学
主分类号：	H01L31/107	分类号：	H01L31/107;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	周天宇
地址：	230026 安***	国省代码：	安徽;34
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	一种雪崩光电二极管，应用于光电探测器技术领域，在衬底上依次外延生长包括缓冲层、吸收层、过渡层、电荷层、帽层和电极接触层，电极接触层的材料为InGaAsP，且电极接触层为外延生长的本征的渐变组分材料，通过锌扩散等P型掺杂剂扩散掺杂工艺可以实现高浓度掺杂，上表面掺杂浓度为10¹⁹Atoms/cm³，P型电极由非合金接触的Ti‑Pt‑Au制成。本发明还公开了一种雪崩光电二极管的制备方法，利用Ti的高粘附性，Pt的高韧性，和Au的良好导电与抗腐蚀性，在不影响器件的暗电流、频率响应的前提下，有效提高器件的欧姆接触特性，降低接触电阻，同时不易脱落。
搜索关键词：	雪崩光电二极管电极接触层外延生长制备掺杂降低接触电阻欧姆接触特性高浓度掺杂光电探测器高粘附性频率响应影响器件组分材料暗电流电荷层高韧性过渡层缓冲层上表面吸收层锌扩散渐变导电本征衬底帽层合金应用
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，在衬底上依次外延生长包括缓冲层、吸收层、过渡层、电荷层、帽层和电极接触层，所述电极接触层的材料为铟镓砷磷InGaAsP。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学技术大学，未经中国科学技术大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910316863.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。

上一篇：四端CIGS/CBTS双结叠层太阳电池及其制备方法
下一篇：石墨烯光-电探测器及其制备方法

同类专利

吸收、倍增层分离结构的Ⅲ族氮化物半导体雪崩光电探测器-201810219693.1
发明人：江灏;陈萌 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公开了一种吸收、倍增分离结构的III族氮化物半导体雪崩光电探测器，其包括衬底及生长于衬底之上的外延层，其中，外延层按自下而上的生长顺序依次为AlN缓冲层，非故意掺杂Al_wGa_1‑wN过渡层，非故意掺杂Al_kGa_1‑kN组分渐变层，重掺杂n型Al_xGa_1‑xN欧姆接触层，非故意掺杂Al_yGa_1‑yN吸收层，电荷层，非故意掺杂Al_yGa_1‑yN倍增层以及p型掺杂Al_yGa_1‑yN层；其中，所述的电荷层至少包括三层n型Al_zGa_1‑zN层，且电荷层中掺杂浓度依次呈高—低—高马鞍型掺杂分布。本发明所述探测器可有效改善III族氮化物半导体雪崩光电探测器性能，实现低噪声、低工作电压、高增益、高量子效率功能。

一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器-201920036772.9
发明人：李冠海;陈碧城;欧凯;郁菲茏;赵增月;陈金;陈效双;陆卫 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本专利公开了一种低暗电流台面型雪崩单光子探测器，包括P型衬底、I型吸收倍增层、N型层。P型衬底、I型吸收倍增层、N型层依次按照从下到上的顺序生长在衬底上；光子从P型衬底入射，P型衬底上接电源的阴极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层外接电源的阳极。本专利结构简单，易于制备，同时可降低由载流子浓度差和缺陷浓度引起的暗计数，提高信噪比。

一种紫外雪崩探测器及其制备方法-201710557299.4
发明人：汪莱;吴星曌;郝智彪;罗毅 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公开了一种紫外雪崩探测器及其制备方法，该探测器为nipip结构，自衬底从下向上依次包括：p型层、i型光敏吸收层、p型过渡层、i型雪崩层、n型层；所述n型层上设置有n型欧姆电极，所述p型层上设置有p型欧姆电极；所述p型层为接收入射光的结构层所述衬底为可透光的衬底。由于本发明提供一种新的nipip结构，将衬底设置为可透光材料，因此紫外光可以从背部入射，穿过衬底来进行探测工作。后续在进行集成时，探测器阵列与其上的读出电路通过铟柱连接时，并不影响紫外光的探测工作。

一种倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列-201822125977.2
发明人：高丹;张军 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本实用新型公开了一种倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列，包括衬底以及设于衬底底部的阳极，所述衬底上表面设有凹槽，所述凹槽中自下而上依次包括：阴极、非耗尽层、倍增层和场控层，且阴极、非耗尽层、倍增层和场控层与所述衬底之间绝缘；所述场控层上覆有吸收层，且所述吸收层与所述衬底相接。同时还公开了由上述倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列设置组成的高增益倒装型可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列及其制备方法。本实用新型通过将吸收层设置在器件的表层，同时将器件的上阳极设置于器件的底部，大大提高了器件的量子效率以及对可见光的灵敏度；并且将器件进行阵列化分割，提高了器件的响应速度和增益。

一种增强蓝光型硅基雪崩光电二极管阵列-201822131919.0
发明人：高丹;张军 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本实用新型公开了一种增强蓝光型硅基雪崩光电二极管阵列，所述雪崩光电二极管为SACM型APD，包括衬底以及设于衬底底部的阳极，所述衬底上表面设有凹槽，所述凹槽中自下而上依次包括：阴极、非耗尽层、倍增层和场控层，且阴极、非耗尽层、倍增层以及场控层与所述衬底之间绝缘；所述场控层上覆有吸收层，且所述吸收层与所述衬底相接；所述吸收层表面覆有规则排列的亚波长结构层；所述衬底为p⁺型硅片；所述非耗尽层为n⁺型高掺杂浓度和高缺陷的多晶硅；所述倍增层为π型的硅外延层；所述场控层为p型的硅外延层；所述吸收层为π型硅外延层。与现有技术比较，本实用新型提供了一种可以提高蓝光量子效率和灵敏度，并具有高增益的硅基APD。

一种雪崩光电二极管及其制作方法-201910364102.4
发明人：曾磊;王肇中;李永平 -专利权人：武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公开了一种雪崩光电二极管及其制作方法，涉及光电二极管技术领域，包括底层，其包括衬底、缓冲层和光吸收层，衬底的下表面设有阴极；顶层，其设置于底层上方，顶层包括雪崩增益层和锌扩散层；锌扩散层包括非扩散区和锌扩散区，非扩散区和部分锌扩散区被刻蚀，锌扩散区未被刻蚀的部分为光敏区，锌扩散区被刻蚀的部分为环形槽；非扩散区与部分环形槽的上方蒸镀有绝缘层，未蒸镀绝缘层的环形槽和绝缘层上方蒸镀有环形阳极；环形阳极、绝缘层和阴极构成MIS结构。本发明的雪崩光电二极管，可产生阳极电容效应，改变阳极下方p型掺杂区域边缘的电场分布，减小耗尽区边缘曲率，降低边缘电场强度，从而抑制边缘预先击穿。

一种Ⅲ族氮化物雪崩光电二极管组件及其制备方法-201910349072.X
发明人：王阳倩;邹新波;张玉良;杨杨 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物雪崩光电二极管组件及其制备方法。所述雪崩光电二极管组件包括依次复合的N型GaN或AlGaN层、吸收层、电荷调制层、倍增层、P型GaN层、缓冲层及衬底。制备方法为：选择临时衬底；在临时衬底上生长AlN缓冲层；在AlN缓冲层上外延生长淀积GaN膜；将临时衬底与AlN缓冲层剥离；利用电子束蒸发蒸镀电极，使最上层的N型GaN层根据需要形成AlGaN层。本发明利用倒装芯片技术以及衬底剥离技术，获得了阴极在器件顶部的N‑i‑N‑i‑P结构的APD。本发明充分利用GaN材料当中的碰撞电离系数高于电子的碰撞电离系数的优势，从而增加碰撞电离的机会和可能性，继而实现较小的工作电压。

雪崩光电二极管及制备方法-201910316863.2
发明人：王亮;张博健;秦金;何伟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L31/107
摘要：一种雪崩光电二极管，应用于光电探测器技术领域，在衬底上依次外延生长包括缓冲层、吸收层、过渡层、电荷层、帽层和电极接触层，电极接触层的材料为InGaAsP，且电极接触层为外延生长的本征的渐变组分材料，通过锌扩散等P型掺杂剂扩散掺杂工艺可以实现高浓度掺杂，上表面掺杂浓度为10¹⁹Atoms/cm³，P型电极由非合金接触的Ti‑Pt‑Au制成。本发明还公开了一种雪崩光电二极管的制备方法，利用Ti的高粘附性，Pt的高韧性，和Au的良好导电与抗腐蚀性，在不影响器件的暗电流、频率响应的前提下，有效提高器件的欧姆接触特性，降低接触电阻，同时不易脱落。

雪崩光电探测器以及激光雷达系统-201821734340.7
发明人：邹颜;刘宏亮;杨彦伟;陆一锋 -专利权人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本申请公开了一种雪崩光电探测器以及激光雷达系统中，设置雪崩光电探测器的感光区域为直径范围在100μm～300μm的圆形区域，相对于感光区域为50μm的传统雪崩光电探测器，可以使得探测距离到达200m以上，响应度可以达到20A/W以上，暗电流可以小于10nA。

雪崩二极管和二极管-201821736610.8
发明人： L·斯塔克 -专利权人：意法半导体(R&D)有限公司
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本实用新型涉及一种雪崩二极管和二极管，该雪崩二极管包括：层，所述层具有第一导电类型；第一区，所述第一区在所述层中，所述第一区具有第二导电类型，并且所述层和所述第一区形成PN结；耗尽结构，所述耗尽结构在所述层中并且邻近所述PN结，所述耗尽结构被配置为在所述层中形成耗尽区，所述耗尽结构包括在所述层中的多个第二区，所述多个第二区具有所述第二导电类型，所述第一区位于所述多个第二区上；以及电极，所述电极被配置为使所述PN结极化。

一种高温度稳定性紫外雪崩光电探测器及其制备方法-201910271776.X
发明人：余晨辉;李林;徐腾飞;陈红富 -专利权人：南通大学
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公开了一种高温度稳定性紫外雪崩光电探测器及其制备方法，其中高温度稳定性紫外雪崩光电探测器，其结构从下至上依次为AlN模板层、AlN缓冲层、n型AlGaN层、i型GaN吸收层、n型GaN分离层、GaN/AlN能带调制周期结构层和p型GaN层；所述n型AlGaN层上引出有n型欧姆电极；所述p型GaN层上引出有p型欧姆电极；所述GaN/AlN能带调制周期结构层由交替设置的多层GaN层和AlN层组成。本发明的高温度稳定性紫外雪崩光电探测器对于更广泛的应用范围具有很强的适应性，特别是对于挥发温度下的应用。

基于光子晶体宽谱全反射器优化的雪崩光电二极管-201910089882.6
发明人：王亮;张博健;许凯;秦金 -专利权人：南京科普林光电科技有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公开了一种基于光子晶体宽谱全反射器优化的雪崩光电二极管及其制造方法，该雪崩光电二极管是在正入射式雪崩光电二极管的衬底背面或背入射式雪崩光电二极管的正面，叠层一由多层SiO₂介质膜和TiO₂介质膜交替构成的一维光子晶体宽谱全反射器。该一维光子晶体宽谱全反射器将入射光中的未被吸收层吸收的光反射回雪崩光电二极管中的吸收层再次吸收。相比于现有的雪崩光电二极管，本发明通过增加一维光子晶体宽谱全反射器，使在不影响器件电学特性的同时，例如：不影响器件的频率响应，对于所有光通信波段1310～1675nm的不同角度的入射光，将未被吸收层吸收的光反射回器件进入吸收层进行二次吸收，增加器件的量子效率与响应度，提升器件约50％的性能。

高增益的紫外雪崩探测器-201710453903.9
发明人：张翼;陈勘;杨路华;李培咸;廉大桢 -专利权人：西安中为光电科技有限公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公开了一种高增益的紫外雪崩探测器，包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底上生长有外延层，i型Al_yGa_1‑yN吸收层上设置有N型欧姆接触电极和ITO分离层，ITO分离层上设置有SiO₂倍增层，SiO₂倍增层设置有Ni/Au肖特基接触层，Ni/Au肖特基接触层上还设置有P型欧姆接触电极；本发明的有益效果是：通过一种全新的高增益的紫外雪崩探测器制作方法，经过精确的膜层结构设计，实现器件击穿电压、响应度、增益因子、暗电流等参数的可调可控，还具有基础的外延片可根据不同的设计指标重复使用的特点。

磷化铟扩散方法-201710401346.6
发明人：于浩;张宇;陈宏泰;车相辉;王晶 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公开了一种磷化铟扩散方法，涉及半导体器件的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤：将磷化铟待扩散圆片放入MOCVD设备中，调节MOCVD的反应室总气体流量至所需值，氮气气氛转换为氢气气氛后升温，进行表面保护，继续升温并恒温保持一段时间；通入二甲基锌流量调节至所需值，控制MOCVD设备的温度进行线性下降，进行锌扩散；温度降至430℃‑470℃以下时切断保护气体，在氢气气氛下降温至室温，氢气气氛转换为氮气后取出所述圆片。所述方法可以精确控制不同扩散深度的扩散浓度，达到圆片表面2e¹⁸高空穴浓度，圆片内部5e¹⁷低空穴浓度，扩散均一性稳定，适用于大批量生产。

一种高速高效可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列-201811555116.6
发明人：高丹;张军 -专利权人：暨南大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公开了一种高速高效可见光增敏硅基雪崩光电二极管阵列，所述雪崩光电二极管为SACM型APD，包括衬底以及设于衬底底部的阳极，所述衬底上表面设有凹槽，所述凹槽中自下而上依次包括：阴极、非耗尽层、倍增层和场控层，且阴极、非耗尽层、倍增层和场控层与所述衬底之间绝缘；所述场控层上覆有吸收层，且所述吸收层与所述衬底相接。本发明通过将吸收层设置在器件的表层，同时将器件的阳极和阴极设置于器件的底部，大大提高了器件的量子效率以及对可见光的灵敏度；并且将器件进行阵列化分割，提高了器件的响应速度和增益。

一种Be离子扩散保护环雪崩光电探测器芯片-201821254803.X
发明人：杨彦伟;刘宏亮;邹颜;刘格 -专利权人：深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本实用新型公开了一种Be离子扩散保护环APD芯片，所述外延功能层中，所述第一区域包括中心区域以及包围所述中心区域的扩散保护环区域；所述中心区域内设置有扩散区，所述扩散保护环区域设置有Be离子注入扩散保护环。通过所述Be离子注入扩散保护环对扩散区的边缘电场进行弱化，通过离子注入工艺形成Be离子注入扩散保护环，一方面可以有效避免扩散区的边缘提前击穿问题，另外，Be元素的离子注入与Zn元素的扩散工艺完全不同，离子注入主要采用高能离子注入方式，一旦注入完成，其掺杂元素的注入深度不会在后续高温扩散工艺下发生变化，离子注入工艺与扩散工艺可以完全独立控制，互不影响，可以提高制作工艺的稳定性和重复性，提高产品良率。

一种电子轰击型雪崩二极管的制备-201710688111.X
发明人：不公告发明人 -专利权人：湖北汇欣智能化系统工程有限公司
申请日： 2017-08-12 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公开了一种电子轰击型雪崩二极管的制备，其结构从下到上依次是背面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；衬底，此衬底为n型Si;p型Si外延层；P型Si重掺杂层；正面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；Si02氧化层，此钝化层位于n型Si衬底、p型Si外延层以及p型Si重掺杂层的表面和侧面，起到钝化和降低暗电流的作用；玻璃钝化层，该层位于8102氧化层上，加厚SiO2氧化层并填充器件台面台阶。该种结构的雪崩二极管能够对电子实现收集并探测，同时在雪崩工作电压下，结区收集到的电子可以实现雪崩放大效应，制备工艺简便，暗电流低，可靠性高。

一种低击穿电压雪崩光电探测器及其制备方法-201811144011.1
发明人：陆海;周东;渠凯军 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公布了一种低击穿电压雪崩光电探测器及其制备方法，一种低击穿电压雪崩光电探测器包括：衬底、吸收层、倍增层、p⁺层、保护层、n型电极、p型电极，一种低击穿电压雪崩光电探测器制备方法包括：PN结制备、制备保护层、制备电极。本发明通过优化各层厚度和掺杂浓度、分离吸收层和倍增层、优化结构来提高器的件可见盲性、量子效率、灵敏度、响应速度并降低击穿电压，提供一种击穿电压低、优化各层厚度与掺杂浓度、灵敏度更高、量子效率更高、响应速度快、吸收层与倍增层分离、可见盲性更好的低击穿电压雪崩光电探测器及其制备方法。

一种注Al离子雪崩光电二极管及其制备方法-201810905078.6
发明人：陆海;周东;渠凯军 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公布了一种注Al离子雪崩光电二极管及其制备方法，注Al离子雪崩光电二极管包括：n⁺SiC衬底、n^‑SiC外延层、p型过渡层、p⁺欧姆接触层、保护层、n型电极、p型电极，注Al离子雪崩光电二极管制备方法包括：制作n^‑SiC外延层、制作p⁺欧姆接触层、制作p型过渡层、退火激活修复、制作台面结构、制作保护层、制作电极、器件退火。本发明主要是解决SiC外延工艺复杂、p型层外延引起记忆效应的问题，通过注入Al离子形成p型过渡层和p⁺欧姆接触层，避免外延生长的记忆效应，利用退火来激活Al离子并修复受损的晶格进而提高器件性能，提供一种可靠性高、更为灵敏、性能更优越、外延工艺简单的注Al离子雪崩光电二极管及其制备方法。

雪崩光电探测器、制作方法以及激光雷达系统-201811246844.9
发明人：邹颜;刘宏亮;杨彦伟;陆一锋 -专利权人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公开了一种雪崩光电探测器、制作方法以及激光雷达系统中，设置雪崩光电探测器的感光区域为直径范围在100μm～300μm的圆形区域，相对于感光区域为50μm的传统雪崩光电探测器，可以使得探测距离到达200m以上，响应度可以达到20A/W以上，暗电流可以小于10nA。

微透镜陷光结构的近红外响应光电探测器及其制备方法-201811007058.3
发明人：黄建;李睿智;江海波;高建威;郭培;黄烈云 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明属于光电探测器技术领域，涉及微透镜陷光结构的近红外响应光电探测器及其制备方法。本发明的吸收层上表面的中心区域设置有光敏区钝化层，光敏钝化层的上表面从下至上依次设置有正面反射镜、微透镜垫层和微透镜阵列；微透镜垫层的厚度为微透镜焦距，所述正面反射镜开有多个小的通光孔。本发明的有益效果在于：由微透镜陷光结构的近红外响应增强原理可见，该结构是通过反射镜的反射作用增加光在吸收层的吸收长度来实现响应增强，不依赖于吸收层厚度的增加，因而不会造成探测器击穿电压温度系数与响应时间的增大；而且还可以通过进一步减小吸收层厚度来减小器件的击穿电压温度系数和提高器件响应速度，从而可以大幅提高近红外硅APD光电探测器的综合性能。

一种单光子探测器及其制备方法-201810738268.3
发明人：张月蘅;沈文忠;白鹏 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明提供一种单光子探测器及其制备方法，其中单光子探测器包括光子频率上转换器件和硅单光子雪崩二极管；所述光子频率上转换器件包括近红外探测器、发光二极管和渐变层，所述渐变层位于近红外探测器和发光二极管之间；所述发光二极管的发光侧与所述硅单光子雪崩二极管的受光面相耦接。本发明的上转换单光子探测器探测率高、信噪比好、结构紧凑、制备方便、使用简单，无需复杂的光学光路设计。

一种紫外雪崩光电二极管-201810919380.7
发明人：陆海;周东;渠凯军 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公布了一种紫外雪崩光电二极管，包括：n型SiC衬底、p⁺欧姆接触层、n^‑倍增层、n型电荷控制层、n^‑吸收层、n型过渡层、n⁺欧姆接触层、p触点电极、n触点电极。本发明主要是SiC紫外雪崩光电二极管存在的阵列雪崩增益一致性较差、有效填充因子量小的问题，通过采用穿通型和SACM的空穴以及改良电极的方法，调控增益斜率和填充因子。本发明提供一种量子效率高、紫外与可见光抑制比好、可提高有效填充因子、暗计数低的紫外雪崩光电二极管。

半导体受光元件-201610617954.6
发明人：山口晴央 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/107
摘要：得到一种半导体受光元件，该半导体受光元件能够抑制漏电流、防止受光灵敏度的降低。在半绝缘衬底(1)之上依次层叠有缓冲层(2)、p型接触层(3)、光吸收层(4)、p型电场缓和层(6)、电子倍增层(7)、n型电场缓和层(8)以及n型接触层(10)。缓冲层(2)具有使InP层(2a)和Al_xGa_yIn_1‑x‑yAs层(2b)交替地层叠的超晶格，缓冲层(2)不吸收由光吸收层(4)进行吸收的波段的光，其中，0.16≤x≤0.48，0≤y≤0.31。

雪崩光电二极管-201810812634.5
发明人：陈俊;章征宇 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明涉及一种雪崩光电二极管，包括依次设置的p型GaN层、p型Al_0.2Ga_0.8N层、第一倍增层、插入层Al_0.35Ga_0.65N、第二倍增层、n型Al_0.45Ga_0.55N电荷层、i型Al_0.45Ga_0.55N吸收层以及n型Al_0.5Ga_0.5N层；其中，第一倍增层为i型Al_0.2Ga_0.8N，第二倍增层为i型Al_0.45Ga_0.55N，插入层为n型Al_0.35Ga_0.65N；插入层的厚度为20‑80nm，插入层的n型掺杂浓度为1×10¹⁷cm^‑3‑1.5×10¹⁸cm^‑3。本发明通过控制不同Al组分材料倍增层之间的极化效应，以及倍增层之间添加的插入层参数，有效地控制雪崩光电二极管器件内部电场分布情况，达到控制器件特性的目的。

具有像素级偏置控制的spad阵列-201611176089.2
发明人： G·A·阿干诺夫;M·C·瓦尔登;万代新悟 -专利权人：苹果公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L31/107
摘要：公开了具有像素级偏置控制的spad阵列。本发明提供了一种包括感测元件的阵列的感测设备。每个感测元件包括：光电二极管，该光电二极管包括p‑n结；以及局部偏置电路，该局部偏置电路经耦接以在偏置电压下对p‑n结进行反向偏置，该偏置电压比p‑n结的击穿电压大一裕量，该裕量足以使得入射在p‑n结上的单个光子触发从感测元件输出的雪崩脉冲；以及偏置控制电路，该偏置控制电路经耦接以将感测元件中的不同感测元件中的偏置电压设置为大于击穿电压的不同的相应值。

高速锗/硅雪崩光电二极管-201510907071.4
发明人：黄梦园;蔡鹏飞;王良波;栗粟;陈旺;洪菁吟;潘栋 -专利权人：硅光电科技股份有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明提供一种高速锗/硅(Ge/Si)雪崩光电二极管，可包括衬底层、设于所述衬底层上的底部接触层、设于所述底部接触层上的缓冲层、设于所述缓冲层上的电场控制层、设于所述电场控制层上的雪崩层、设于所述雪崩层上的电荷层、设于所述电荷层上的吸收层和设于所述吸收层上的顶部接触层。所述电场控制层可用于控制所述雪崩层中的电场。

雪崩光电二极管的抽充气密封系统-201820242490.X
发明人：刘梦婕;徐焕银;刘云;苗春华;黄敦锋;卢耀文;王欢;李风雨;朱云芳;王笑言 -专利权人：安徽问天量子科技股份有限公司
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本实用新型公开了一种雪崩光电二极管的抽充气密封系统，包括安装有雪崩光电二极管的密封盒、抽气系统和充气系统，密封盒包括盒盖、盒体和盒底，盒体的顶部四周和底部四周均设有一圈凹槽，所述凹槽内填充有氟胶圈，盒体的外侧面通过密封抽气法兰连接有密封阀，抽气系统包括真空计、抽气手动阀和旋片泵，密封阀分别与真空计和抽气手动阀连接，抽气手动阀与旋片泵连接，充气系统包括压阻规、充气微调阀和充气气瓶，密封阀分别与压阻规和充气微调阀连接，充气微调阀和充气气瓶连接。本实用新型密封效果好，且有效的防止雪崩二极管表面结露，阻止外部水蒸气进入。

光检测装置-201610044557.4
发明人：永野辉昌;细川畅郎;铃木智史;马场隆 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/107
摘要：半导体光检测元件(10)包含：多个雪崩光电二极管(APD)，其以盖革模式动作并且形成在半导体基板(1N)内；灭弧电阻(R1)，其相对于各个雪崩光电二极管(APD)串联连接并且配置在半导体基板(1N)的主面(1Na)侧；以及多个贯通电极(TE)，其与灭弧电阻(R1)电连接且从主面(1Na)侧至主面(1Nb)侧为止贯通半导体基板(1N)而形成。搭载基板(20)包含对应于每个贯通电极(TE)而配置在主面(20a)侧的多个电极(E9)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸点电极(BE)而电连接，且半导体基板(1N)的侧面(1Nc)与玻璃基板(30)的侧面(30c)成为同一平面。

背照式紫外雪崩探测器及其制作方法-201610960323.4
发明人：赵文伯;申志辉;陈扬;叶嗣荣 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L31/107
摘要：本发明公开了一种背照式紫外雪崩探测器，所述背照式紫外雪崩探测器由蓝宝石衬底、低温AlN核化层、高温AlN模板、AlN/AlGaN超晶格层、P+‑GaN接触层、P‑‑AlGaN吸收层、P‑Si电荷层、n‑‑Si倍增层、n+‑Si接触层、n型电极层和P型电极组成；另外，本发明还公开了一种背照式紫外雪崩探测器的制作方法；本发明的有益技术效果是：提供了一种背照式紫外雪崩探测器，其性能较好。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]雪崩光电二极管及制备方法在审

专利文献下载