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[发明专利]基于硅基脊型波导的偏振旋转器-分离器/合成器-CN201510262501.1有效
发明人：石拓;陈昌华;邵永波;潘栋 -专利权人： 硅光电科技股份有限公司
申请日： 2015-05-21 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明公开了各种集成的偏振旋转器‑分离器/合成器装置的实施例。集成的偏振旋转器‑分离器装置可包括输入波导部分，偏振旋转器部分，偏振分离器部分和输出波导部分，也可反向连接，作为偏振旋转器‑合成器。
基于硅基脊型波导偏振旋转分离器合成器

[发明专利]带有边缘耦合器的硅光子低回波损耗封装结构-CN201710056360.7有效
发明人：张宁;石拓;邵永波;苏宗一;潘栋 -专利权人： 硅光电科技股份有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种在分布式反馈激光二极管(DFB‑LD)和硅光子集成电路芯片(Si PIC)边缘耦合器之间耦合的具有低回波损耗的新颖、紧凑且高效的封装结构，包括：DFB‑LD；Si PIC，其包括至少一个输入边缘耦合器和至少一个输出边缘耦合器；硅石罩盖，其设置在所述硅光子集成电路芯片的顶部并且与所述硅光子集成电路芯片边对边对齐；单模光纤，其对齐所述至少一个输出边缘耦合器；透镜，其设置在所述分布式反馈激光器和所述硅光子集成电路芯片的所述至少一个输入边缘耦合器之间；和隔离器，其采用折射率匹配流体结合到所述至少一个输入边缘耦合器的刻面。所述透镜配置成最小化所述分布式反馈激光二极管的输出光斑尺寸和所述硅光子集成电路芯片的至少一个输入边缘耦合器的光斑尺寸之间的不匹配。
带有边缘耦合器光子回波损耗封装结构

[发明专利]高速锗/硅雪崩光电二极管-CN201510907071.4有效
发明人：黄梦园;蔡鹏飞;王良波;栗粟;陈旺;洪菁吟;潘栋 -专利权人： 硅光电科技股份有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种高速锗/硅(Ge/Si)雪崩光电二极管，可包括衬底层、设于所述衬底层上的底部接触层、设于所述底部接触层上的缓冲层、设于所述缓冲层上的电场控制层、设于所述电场控制层上的雪崩层、设于所述雪崩层上的电荷层、设于所述电荷层上的吸收层和设于所述吸收层上的顶部接触层。所述电场控制层可用于控制所述雪崩层中的电场。
高速雪崩光电二极管

[发明专利]全集成的雪崩光电二极管接收器-CN201711408329.1在审
发明人：黄梦园;苏宗一;栗粟;张乃川;蔡鹏飞;陈旺;洪菁吟;潘栋 -专利权人： 硅光电科技股份有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了完全集成的雪崩光电二极管接收器的各种实施例及其制造方法。光子器件包括其中具有埋氧化层(BOX)的绝缘体上硅(SOI)衬底、与SOI衬底集成的雪崩光电二极管、与SOI衬底集成的电容器、与SOI衬底集成的电阻器、硅无源波导以及与SOI衬底集成的接合焊盘。
衬底雪崩光电二极管接收器电容器绝缘体上硅光子器件接合焊盘埋氧化层电阻器全集成源波导硅无制造

[发明专利]硅基脊型波导调制器及其制造方法-CN201510387070.1有效
发明人：石拓;邵永波;陈昌华;苏宗一;潘栋 -专利权人： 硅光电科技股份有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明公开了光电器件的各种结构及其制造方法。光电器件可包括硅基脊型波导调制器，所述硅基脊型波导调制器可包括第一顶部硅层，第二顶部硅层和薄栅介质层。所述第一顶部硅层包括第一掺杂区，所述第一掺杂区至少部分地用第一导电型掺杂剂进行掺杂；所述第二顶部硅层包括第二掺杂区，所述第二掺杂区至少部分地用第二导电型掺杂剂进行掺杂；所述薄栅介质层设于所述第一顶部硅层和第二顶部硅层之间。所述第二掺杂区至少部分在所述第一掺杂区的正上方。所述调制器也可包括形成于所述第二顶部硅层上的脊型波导、形成于所述第一顶部硅层上的第一电触头、和形成于所述第二顶部硅层上的第二电触头。
硅基脊型波导调制器及其制造方法

[发明专利]带有集成加热器的GE/SI雪崩光电二极管及其制作方法-CN201510056869.2有效
发明人：石拓;蔡鹏飞;王良波;张耐;陈旺;栗粟;洪菁吟;黄梦园;潘栋 -专利权人： 硅光电科技股份有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：提供了一种带有集成加热器的Ge/Si雪崩光电二极管的新颖结构及其制作方法的各种不同的实施例。在一方面，在顶面硅层或者硅基板层上形成掺杂区，以起到电阻的作用。当环境温度降低到某个点时，将自动触发温度控制回路并沿着加热器施加适当的偏置，因此，Ge/Si雪崩光电二极管的结合区的温度被保持在优化的范围以内，以保持该雪崩光电二极管的高灵敏度水平以及低误码率水平。
带有集成加热器 ge si 雪崩光电二极管及其制作方法

[发明专利]带有锁定装置的光耦合封装件及其方法-CN201410642118.4无效
发明人：颜世鹏;袁羽丰;潘栋 -专利权人： 硅光电科技股份有限公司
申请日： 2014-11-11 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： G02B6/43 文献下载
摘要：本发明提供了用于将来自透镜阵列的光信号耦合至可插拔形式的带有锁定功能的光纤阵列组件的新方法和设计的各种实施例。从印刷电路板(PCB)上的垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列发射的光信号被耦合到光耦合透镜阵列，然后被耦合到平行于PCB的光纤阵列组件。可插拔形式的锁定装置提供用于透镜阵列和光纤阵列组件之间配合和锁定的方法，从而实现光纤阵列组件和透镜阵列之间良好的耦合和锁定。
带有锁定装置耦合封装及其方法

[发明专利]一种具有基于全内反射表面的单体光学模块的光学装置-CN201210289095.4有效
发明人：颜世鹏;张艳武;潘栋;袁羽丰 -专利权人： 硅光电科技股份有限公司
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种具有基于全内反射表面的单体光学模块的光学装置，用以将一束或更多束的输入光束分离为至少两束输出光束。其主要特征表现在一束或更多束的输入光束透过单体光耦合模块中的至少两块全内反射表面得到分离。介于两束或更多束的输出光束间的光分离率是能够依据两块或更多块的全内反射表面的至少一个物理特性进行预先设定的。
一种具有基于反射表面单体光学模块装置