[发明专利]封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910293773.6 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110379719B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 余振华;郭宏瑞;蔡惠榕;谢昀蓁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例揭露封装件及其形成方法。一种封装件的形成方法包括形成管芯，所述管芯包括衬垫及位于衬垫之上的钝化层。形成穿过钝化层一直到衬垫的通孔。在通孔上形成焊料帽，其中焊料帽的第一材料流动到通孔的侧壁。在一些实施例中，将通孔包封在第一包封体中，其中第一包封体是被选择成具有低的热膨胀系数和/或低的固化温度的聚合物或模塑化合物。在一些实施例中，藉由蚀刻工艺从通孔的侧壁移除焊料帽的第一材料并将通孔包封在第一包封体中。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装件的形成方法，其特征在于，包括：形成管芯，所述管芯包括衬垫及位于所述衬垫之上的钝化层；形成穿过所述钝化层的第一开口；在所述管芯之上沉积抗蚀剂层；将所述抗蚀剂层图案化，以形成对准所述第一开口的第二开口；在所述第二开口中形成通孔，所述通孔具有第一热膨胀系数；在所述通孔上形成焊料帽，其中所述焊料帽的第一材料流动到所述通孔的侧壁；以及将所述通孔包封在第一包封体中，其中所述第一包封体具有第二热膨胀系数及固化温度，其中所述第二热膨胀系数与所述第一热膨胀系数的比率小于2.5:1或者所述固化温度低于250℃。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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