[发明专利]封装件及其形成方法有效
申请号: | 201910293773.6 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN110379719B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 余振华;郭宏瑞;蔡惠榕;谢昀蓁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485;H01L23/48 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 康艳青;姚开丽 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 及其 形成 方法 | ||
本发明实施例揭露封装件及其形成方法。一种封装件的形成方法包括形成管芯,所述管芯包括衬垫及位于衬垫之上的钝化层。形成穿过钝化层一直到衬垫的通孔。在通孔上形成焊料帽,其中焊料帽的第一材料流动到通孔的侧壁。在一些实施例中,将通孔包封在第一包封体中,其中第一包封体是被选择成具有低的热膨胀系数和/或低的固化温度的聚合物或模塑化合物。在一些实施例中,藉由蚀刻工艺从通孔的侧壁移除焊料帽的第一材料并将通孔包封在第一包封体中。
技术领域
本发明实施例涉及封装件及其形成方法。
背景技术
随着现代集成电路的大小缩减,相关联特征的大小也缩减。随着晶体管缩减,例如穿孔及其他内连线元件等特征的大小也缩减。在许多实例中,芯片上、管芯上、封装件中、印刷电路板(printed circuit board,PCB)上及其他衬底上的各层电路通过通孔(vias)在各个层之间进行内连。通孔藉由在穿过衬底的开口中填充导电金属形成。通常,通孔连接到迹线(traces)或其他导电结构以允许不同层中的未对准的接触点能够连接。
发明内容
一个实施例包括一种方法,所述方法包括形成管芯,管芯包括衬垫及位于衬垫之上的钝化层。形成穿过钝化层的第一开口。在管芯之上沉积抗蚀剂层。将抗蚀剂层图案化以形成对准第一开口的第二开口。在第二开口中形成通孔。在通孔上形成焊料帽,其中焊料帽的第一材料流动到通孔的侧壁。将通孔包封在第一包封体中,其中第一包封体具有热膨胀系数(coefficients of thermal expansion,CTE),其中第一包封体的CTE对通孔的CTE的比率小于2.5:1或者其中第一包封体具有低于250℃的固化温度。
另一实施例包括一种方法,所述方法包括在管芯的接触衬垫之上设置耦合到管芯的接触衬垫的金属柱,金属柱包含第一材料。在金属柱之上形成焊料帽,焊料帽包含第二材料。使用在第二材料与第一材料之间具有选择性的蚀刻剂对焊料帽进行蚀刻。将管芯贴合到载体。
另一实施例包括一种封装件,所述封装件包括嵌入式管芯,嵌入式管芯具有形成在嵌入式管芯的有源侧的多个接触衬垫。金属通孔设置在所述多个接触衬垫中的对应的接触衬垫之上。第一包封体在侧向上包封金属通孔,其中第一包封体接触金属通孔的侧壁,且其中金属通孔的侧壁与第一包封体之间的界面在与金属通孔的顶表面相邻之处不含有锡。
附图说明
结合附图阅读以下详细说明,会最好地理解本公开的各个方面。应注意,根据本行业中的标准惯例,各种特征并非按比例绘制。事实上,为论述清晰起见,可任意增大或减小各种特征的尺寸。
图1到图8示出根据实施例的制造管芯的各个中间阶段的剖视图。
图9示出根据一些实施例的测试工艺。
图10A、图10B、图10C及图10D示出根据一些实施例的在制造包括嵌入式管芯的封装件的中间阶段处的导通孔及焊料帽的各个剖视图。
图11到图12示出根据一些实施例的在移除焊料帽之后的管芯的剖视图。
图13A到图21示出根据各种实施例的制造包括嵌入式管芯的封装件的各个中间阶段的剖视图。
具体实施方式
以下公开内容提供用于实施本发明的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及排列方式的具体实例以简化本公开内容。当然,这些仅为实例且不旨在进行限制。举例来说,以下说明中将第一特征形成在第二特征“之上”或第二特征“上”可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例,且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有附加特征、以使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外,本公开内容可能在各种实例中重复使用参考编号和/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的,而不是自身表示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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