[发明专利]封装件及其形成方法有效
| 申请号: | 201910293773.6 | 申请日: | 2019-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN110379719B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
| 发明(设计)人: | 余振华;郭宏瑞;蔡惠榕;谢昀蓁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485;H01L23/48 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 康艳青;姚开丽 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 封装 及其 形成 方法 | ||
1.一种封装件的形成方法,其特征在于,包括:
形成管芯,所述管芯包括衬垫及位于所述衬垫之上的钝化层;
形成穿过所述钝化层的第一开口;
在所述管芯之上沉积抗蚀剂层;
将所述抗蚀剂层图案化,以形成对准所述第一开口的第二开口;
在所述第二开口中形成通孔,所述通孔具有第一热膨胀系数;
在所述通孔上形成焊料帽,其中所述焊料帽的第一材料流动到所述通孔的侧壁;
将所述通孔包封在第一包封体中,其中所述第一包封体具有第二热膨胀系数及固化温度,其中所述第二热膨胀系数与所述第一热膨胀系数的比率小于2.5:1或者所述固化温度低于250℃;以及
在包封所述通孔之前,对所述焊料帽进行蚀刻以从所述通孔的所述侧壁移除所述第一材料。
2.根据权利要求1所述的封装件的形成方法,其特征在于,还包括:
在包封所述通孔之前,将所述管芯从晶片单体化。
3.根据权利要求1所述的封装件的形成方法,其特征在于,还包括:
在包封所述通孔之后,将所述管芯从晶片单体化。
4.根据权利要求1所述的封装件的形成方法,其特征在于,在对所述焊料帽进行所述蚀刻之后,所述通孔的所述侧壁的所述第一材料的不与所述通孔的顶表面相邻的一部分余留下来。
5.根据权利要求1所述的封装件的形成方法,其特征在于,还包括:
通过探测所述焊料帽来测试所述管芯。
6.根据权利要求1所述的封装件的形成方法,其特征在于,形成所述通孔包括镀覆导电材料,且其中形成所述焊料帽包括在所述导电材料之上镀覆所述第一材料。
7.根据权利要求1所述的封装件的形成方法,其特征在于,还包括:
将所述管芯贴合到载体;以及
使用第二包封体在侧向上包封所述管芯,其中所述第二包封体的材料不同于所述第一包封体的材料。
8.一种封装件的形成方法,其特征在于,包括:
设置金属柱,所述金属柱在管芯的接触衬垫之上耦合到所述管芯的所述接触衬垫,所述金属柱包含第一材料;
在所述金属柱之上形成焊料帽,所述焊料帽包含第二材料;
对所述焊料帽进行蚀刻,其中所述蚀刻是等离子体蚀刻工艺,且使用在所述第二材料与所述第一材料之间具有选择性的蚀刻剂;以及
将所述管芯贴合到载体。
9.根据权利要求8所述的封装件的形成方法,其特征在于,还包括:
通过探测所述焊料帽来测试所述管芯。
10.根据权利要求8所述的封装件的形成方法,其特征在于,还包括:
在对所述焊料帽进行蚀刻之后使用第一包封体包封所述金属柱。
11.根据权利要求10所述的封装件的形成方法,其特征在于,所述第一包封体是聚合物或模塑化合物,所述第一包封体具有介于8ppm/℃与40ppm/℃之间的第一热膨胀系数。
12.根据权利要求10所述的封装件的形成方法,其特征在于,还包括:
在250℃或低于250℃的温度下固化所述第一包封体。
13.根据权利要求10所述的封装件的形成方法,其特征在于,还包括:
在包封所述金属柱之前,将所述管芯从晶片单体化;以及
将所述管芯贴合到载体。
14.根据权利要求10所述的封装件的形成方法,其特征在于,还包括:
在包封所述金属柱之后,将所述管芯从晶片单体化;
将所述管芯贴合到载体;以及
使用第二包封体包封所述管芯。
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