[发明专利]半导体装置的结合方法及其半导体装置有效
| 申请号： | 201910285142.X | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110600603B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 吴炳升;吴昭文;李杏樱 | 申请（专利权）人： | 启端光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;B23K26/55 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张妍 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置的结合方法，其步骤如下：(1)分别设置多个孔洞于主基板的两个接合部。(2)放置半导体装置于主基板上，并使两个接合部对位于半导体装置的两个传导部。(3)使雷射分次对准于各传导部并从主基板下方入射，接着雷射分次穿越各接合部的多个孔洞而入射至各传导部，各传导部从而熔融而与各接合部接合。透过多个孔洞的设置，使雷射顺利地让各传导部和各接合部接合，进而达成半导体装置的结合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结合 方法 及其 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的结合方法，其特征在于，其包括：/n分别设置多个孔洞于主基板的两个接合部；/n放置半导体装置于所述主基板上，且使所述两个接合部对位于所述半导体装置的两个传导部；以及/n使雷射分次对准于各所述传导部并从所述主基板下方入射，所述雷射分次穿越各所述接合部的所述多个孔洞而入射至各所述传导部，各所述传导部从而熔融而与各所述接合部接合。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于启端光电股份有限公司，未经启端光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910285142.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
