[发明专利]半导体装置的结合方法及其半导体装置有效
申请号: | 201910285142.X | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN110600603B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 吴炳升;吴昭文;李杏樱 | 申请(专利权)人: | 启端光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;B23K26/55 |
代理公司: | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人: | 徐雯琼;张妍 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 结合 方法 及其 | ||
本发明公开了一种半导体装置的结合方法,其步骤如下:(1)分别设置多个孔洞于主基板的两个接合部。(2)放置半导体装置于主基板上,并使两个接合部对位于半导体装置的两个传导部。(3)使雷射分次对准于各传导部并从主基板下方入射,接着雷射分次穿越各接合部的多个孔洞而入射至各传导部,各传导部从而熔融而与各接合部接合。透过多个孔洞的设置,使雷射顺利地让各传导部和各接合部接合,进而达成半导体装置的结合。
技术领域
本发明关于一种半导体装置的结合方法及其半导体装置,透过孔洞的设置,使雷射入射至各传导部,各传导部熔融并与各传导部接合,从而达成半导体装置的结合。
背景技术
近来,半导体装置的制程技术已趋于成熟,但为了特定用途而需将半导体装置进行结合。举例来说,将发光二极管装置移至玻璃基板,通常利用黏附层结构将发光二极管结合至玻璃基板,黏附层结构质量则会影响发光二极管的结合,因此,黏附层在发光二极管的结合流程中扮演相当重要的角色;然而,由于黏附层结构需与发光二极管的电极黏附,造成发光二极管的电极损坏,如何解决前述症结点,遂成为待解决的问题。
综上所述,本发明的发明者思索并设计一种半导体装置的结合方法及其半导体装置,针对现有技术的缺失加以改善,进而增进产业上的实施利用。
发明内容
鉴于上述熟知的问题,本发明的目的在于提供一种半导体装置的结合方法及其半导体装置,用以解决现有技术中所面临的问题。
基于上述目的,本发明提供一种半导体装置的结合方法,其包括:(1)分别设置多个孔洞于主基板的两个接合部。(2)放置半导体装置于主基板上,且使两个接合部对位于半导体装置的两个传导部。(3)使雷射分次对准于各传导部并从主基板下方入射,雷射分次穿越各接合部的多个孔洞而入射至各传导部,各传导部从而熔融而与各接合部接合。透过多个孔洞,使雷射顺利地让各传导部和各接合部接合,而不会损坏半导体装置的电极,进而达成半导体装置的结合。
优选地,半导体装置为发光二极管,两个传导部由金组成。
优选地,主基板为玻璃基板,两个接合部由钼、铝或钼铝合金组成。
优选地,各接合部透过雷射蚀刻而设置多个孔洞。
优选地,多个孔洞为周期性排列,且各孔洞的截面形状为圆形或多边形。
基于上述目的,本发明提供一种半导体装置的结合方法,其包括:(1)分别设置多个孔洞于主基板的两个接合部。(2)分别设置缓冲层于各接合部上,放置半导体装置于主基板上,且使各缓冲层对位于半导体装置的两个传导部。(3)使雷射分次对准于各传导部并从主基板下方入射,雷射分次穿越各接合部的多个孔洞而入射至各缓冲层,各缓冲层从而熔融,进而使各接合部和各传导部形成电性接触。透过多个孔洞和缓冲层的设置,使雷射顺利地让各传导部和各接合部电性接触,而不会损坏半导体装置的电极,进而达成半导体装置的结合。
优选地,半导体装置为发光二极管,两个传导部由金组成。
优选地,主基板为玻璃基板,两个接合部由钼、铝或钼铝合金组成。
优选地,各接合部透过雷射蚀刻而设置多个孔洞。
优选地,多个孔洞为周期性排列,且各孔洞的截面形状为圆形或多边形。
优选地,各缓冲层由低熔点金属材料组成。
基于上述目的,本发明提供一种半导体装置,其包括主基板、两个接合部以及半导体装置。两个接合部分别设置于主基板上及具有多个孔洞。半导体装置设置于主基板上,且半导体装置的两个传导部分别对位于两个接合部
优选地,本发明更包括缓冲层,缓冲层设置于两个接合部和两个传导部之间。
优选地,半导体装置为发光二极管,两个传导部由金组成。
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