[发明专利]半导体装置的结合方法及其半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的结合方法，其特征在于，其包括：

分别设置多个孔洞于主基板的两个接合部；

放置半导体装置于所述主基板上，且使所述两个接合部对位于所述半导体装置的两个传导部；以及

使雷射分次对准于各所述传导部并从所述主基板下方入射，所述雷射分次穿越各所述接合部的所述多个孔洞而入射至各所述传导部，各所述传导部从而熔融而与各所述接合部接合。

2.如权利要求1所述的半导体装置的结合方法，其特征在于，所述半导体装置为发光二极管，所述两个传导部由金(Au)组成。

3.如权利要求1所述的半导体装置的结合方法，其特征在于，所述主基板为玻璃基板，所述两个接合部由钼(Mo)、铝(Al)或钼铝合金组成。

4.如权利要求1所述的半导体装置的结合方法，其特征在于，各所述接合部透过所述雷射蚀刻而设置所述多个孔洞。

5.如权利要求1所述的半导体装置的结合方法，其特征在于，所述多个孔洞为周期性排列，且各所述孔洞的截面形状为圆形或多边形。

6.一种半导体装置的结合方法，其特征在于，其包括：

分别设置多个孔洞于主基板的两个接合部；

分别设置缓冲层于各所述接合部上，放置半导体装置于所述主基板上，且使各所述缓冲层对位于所述半导体装置的两个传导部；以及

使雷射分次对准于各所述传导部并从所述主基板下方入射，所述雷射分次穿越各所述接合部的所述多个孔洞而入射至各所述缓冲层，各所述缓冲层从而熔融，进而使各所述接合部和各所述传导部形成电性接触。

7.如权利要求6所述的半导体装置的结合方法，其特征在于，所述半导体装置为发光二极管，所述两个传导部由金(Au)组成。

8.如权利要求6所述的半导体装置的结合方法，其特征在于，所述主基板为玻璃基板，所述两个接合部由钼(Mo)、铝(Al)或钼铝合金组成。

9.如权利要求6所述的半导体装置的结合方法，其特征在于，各所述接合部透过所述雷射蚀刻而设置所述多个孔洞。

10.如权利要求6所述的半导体装置的结合方法，其特征在于，所述多个孔洞为周期性排列，且各所述孔洞的截面形状为圆形或多边形。

11.如权利要求6所述的半导体装置的结合方法，其特征在于，各所述缓冲层由低熔点金属材料组成。

12.一种半导体装置，其特征在于，其包括：

主基板；

两个接合部，分别设置于所述主基板上及具有多个孔洞；以及

半导体装置，设置于所述主基板上，且所述半导体装置的两个传导部分别对位于所述两个接合部；

其中，雷射可以从所述主基板下方入射而穿越所述多个孔洞。

13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，更包括缓冲层，所述缓冲层设置于所述两个接合部和所述两个传导部之间。

14.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置为发光二极管，所述两个传导部由金(Au)组成。

15.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述主基板为玻璃基板，所述两个接合部由钼(Mo)、铝(Al)或钼铝合金组成。

16.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，各所述接合部透过所述雷射蚀刻而设置所述多个孔洞。

17.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，所述多个孔洞为周期性排列，且各所述孔洞的截面形状为圆形或多边形。

18.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，所述缓冲层由低熔点金属材料组成。