[发明专利]加热方法以及加热装置在审
| 申请号： | 201910271611.2 | 申请日： | 2019-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN111785626A | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及一种加热方法及加热装置，加热方法包括：获取距离温度关系式，所述距离温度关系式表征，将晶圆置于加热盘上进行加热以对光刻胶层进行加热处理之后，在所述光刻图形具有不同的实际线宽尺寸下，所述晶圆的翘曲高度值与所述加热盘的加热温度之间的对应关系；量测所述晶圆的不同翘曲高度处对应的翘曲高度值，基于所述翘曲高度值、所述距离温度关系式以及所述期望线宽尺寸，设置所述加热装置向所述晶圆的不同翘曲高度处对应提供的设定加热温度值，对所述光刻胶层进行加热处理。本发明能够改善加热处理后光刻胶层的光刻图形线宽尺寸的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
