[发明专利]加热方法以及加热装置在审
申请号: | 201910271611.2 | 申请日: | 2019-04-04 |
公开(公告)号: | CN111785626A | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 方法 以及 装置 | ||
1.一种加热方法,用于对晶圆以及位于所述晶圆上的具有光刻图形的光刻胶层进行加热处理,且在所述加热处理后所述光刻图形具有期望线宽尺寸,所述晶圆为翘曲变形的晶圆,其特征在于,包括:
获取距离温度关系式,所述距离温度关系式表征,将所述晶圆置于加热盘上进行加热以对所述光刻胶层进行加热处理之后,在所述光刻图形具有不同的实际线宽尺寸下,所述晶圆的翘曲高度值与所述加热盘的加热温度之间的对应关系;
量测所述晶圆的不同翘曲高度处对应的翘曲高度值,基于所述翘曲高度值、所述距离温度关系式以及所述期望线宽尺寸,设置所述加热装置向所述晶圆的不同翘曲高度处对应提供的设定加热温度值,对所述光刻胶层进行加热处理。
2.如权利要求1所述的加热方法,其特征在于,所述距离温度关系式以在同一坐标系中的多条曲线的形式表示,其中,每一条曲线对应为所述光刻图形具有的一个实际线宽尺寸下,所述晶圆的翘曲高度值与所述加热盘的加热温度之间的关系曲线。
3.如权利要求2所述的加热方法,其特征在于,所述坐标系中的横坐标表征所述晶圆的翘曲高度值;所述坐标系中的纵坐标表征所述加热盘的加热温度。
4.如权利要求1或3所述的加热方法,其特征在于,所述期望线宽尺寸为所述不同的实际线宽尺寸中的任一个。
5.如权利要求4所述的加热方法,其特征在于,所述基于所述距离温度关系式以及所述期望线宽尺寸,设置所述加热装置向所述晶圆的不同翘曲高度处对应提供的设定加热温度值,方法包括:量测所述晶圆的不同翘曲高度处对应的翘曲高度值;在所述期望线宽尺寸对应的曲线所在的坐标系中,确定不同的翘曲高度值对应的加热温度,所述加热温度作为所述加热装置向所述晶圆的不同翘曲高度处对应提供的设定加热温度值。
6.如权利要求5所述的加热方法,其特征在于,所述量测所述晶圆的不同翘曲高度处对应的翘曲高度值,方法包括:采用相位式激光测试法,获取所述晶圆的不同翘曲高度处对应的翘曲高度值。
7.如权利要求1所述的加热方法,其特征在于,所述预先获取距离温度关系式的步骤包括:
获取第一对应关系式,所述第一对应关系式表征,在所述加热盘的不同加热温度下,所述实际线宽尺寸与所述晶圆的翘曲高度值之间的关系;
获取第二对应关系式,所述第二对应关系式表征,在所述晶圆不同翘曲高度处具有的不同翘曲高度值下,所述实际线宽尺寸与所述加热盘的加热温度之间的关系;
基于所述第一对应关系式与所述第二对应关系式,获取所述距离温度关系式。
8.如权利要求7所述的加热方法,其特征在于,所述第一对应关系式以在同一第一坐标系中的多条曲线表示,其中,每一条曲线对应为在所述加热盘的一个加热温度下,所述实际线宽尺寸与所述晶圆的翘曲高度值之间的曲线;所述第二对应关系式以在同一第二坐标系中的多条曲线表示,其中,每一条曲线对应为所述晶圆的一个翘曲高度值下,所述实际线宽尺寸与所述加热盘的加热温度之间的曲线。
9.如权利要求8所述的加热方法,其特征在于,所述第一对应关系式中,所述第一坐标系中的横坐标表征所述晶圆的翘曲高度值,所述第一坐标系中的纵坐标表征所述光刻图形的实际线宽尺寸;所述第二对应关系式中,所述第二坐标系中的横坐标表征所述加热盘的加热温度,所述第二坐标系中的纵坐标表征所述光刻图形的实际线宽尺寸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造