[发明专利]加热方法以及加热装置

说明书

本发明实施例涉及一种加热方法及加热装置，加热方法包括：获取距离温度关系式，所述距离温度关系式表征，将晶圆置于加热盘上进行加热以对光刻胶层进行加热处理之后，在所述光刻图形具有不同的实际线宽尺寸下，所述晶圆的翘曲高度值与所述加热盘的加热温度之间的对应关系；量测所述晶圆的不同翘曲高度处对应的翘曲高度值，基于所述翘曲高度值、所述距离温度关系式以及所述期望线宽尺寸，设置所述加热装置向所述晶圆的不同翘曲高度处对应提供的设定加热温度值，对所述光刻胶层进行加热处理。本发明能够改善加热处理后光刻胶层的光刻图形线宽尺寸的均匀性。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种加热方法以及加热装置。

背景技术

晶圆(wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状通常为圆形，故称为晶圆。可进行集成电路制作工艺，在晶圆上加工制作成各种电路元件结构，从而成为有特定电性功能的IC产品。

进行图形转移是集成电路制作工艺中的重要环节之一。图形转移的步骤主要包括：在晶圆上形成具有设计图形的光刻胶层，该光刻胶层具有特定的线宽(line width)；然后将该设计图形传递至晶圆。

然而，在实际制程工艺中，晶圆在经历了一系列的制程工艺以后会出现晶圆翘曲的问题。比如热的烘焙工艺以及晶圆表面生成高应力膜工艺都会使得晶圆出现不同程度的翘曲问题。这些翘曲导致涂覆在晶圆上的光刻胶层线宽均匀性差，使得制造的半导体器件的性能低下。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题为提供一种加热方法以及加热装置，改善光刻胶层的光刻图形线宽尺寸均匀性。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种加热方法，用于对晶圆以及位于所述晶圆上的具有光刻图形的光刻胶层进行加热处理，且在所述加热处理后所述光刻图形具有期望线宽尺寸，所述晶圆为翘曲变形的晶圆，包括：获取距离温度关系式，所述距离温度关系式表征，将所述晶圆置于加热盘上进行加热以对所述光刻胶层进行加热处理之后，在所述光刻图形具有不同的实际线宽尺寸下，所述晶圆的翘曲高度值与所述加热盘的加热温度之间的对应关系；基于所述距离温度关系式以及所述期望线宽尺寸，设置所述加热装置向所述晶圆的不同翘曲高度处对应提供的设定加热温度值，对所述光刻胶层进行加热处理。

本发明实施例还提供一种应用于上述加热方法的加热装置，包括：承载盘，用于承载晶圆；多个加热部，所述多个加热部设置于所述承载盘表面，用于对置于所述承载盘上的晶圆进行加热；翘曲高度测量模块，用于量测置于所述承载盘上的晶圆的不同翘曲高度处对应的翘曲高度值；温度设定模块，与所述加热部以及所述翘曲高度测量模块连接，所述温度设定模块用于，基于所述距离温度关系式以及所述期望线宽尺寸，设置所述晶圆的不同翘曲高度处对应的加热部的设定加热温度。

与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：

本发明实施例提供的加热方法的技术方案中，获取距离温度关系式，所述距离温度关系式反映在对光刻胶层进行加热处理之后，光刻图形具有不同的实际线宽尺寸下，晶圆的翘曲高度值与加热盘的加热温度之间的对应关系；在获知对光刻胶层进行加热处理后具有的期望线宽尺寸后，基于期望线宽尺寸以及距离温度关系式，设置加热装置向晶圆的不同翘曲高度处对应提供的设定加热温度值，对光刻胶层进行加热处理。由于晶圆的不同翘曲高度值对于光刻图形的线宽尺寸变化的影响不同，本发明实施例中不同翘曲高度处对应的设定加热温度值不同，以减小或者抵消不同翘曲高度值对于光刻图形线宽尺寸变化带来的影响，从而改善加热处理后光刻图形线宽尺寸的均匀性。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1为一种晶圆加热过程的剖面结构示意图；