[发明专利]自对准双重图形化的方法

摘要

本发明公开了一种自对准双重图形化的方法，其中，在硅片上生长待刻蚀层；在待刻蚀层表面依次形成抗反射层和光刻胶，对光刻胶曝光显影形成光刻胶图形；用烷基化试剂进行烷基化处理，在光刻胶图形的顶部、侧面及抗反射层表面形成烷基化层；回刻烷基化层，露出光刻胶图形的顶部表面及抗反射层表面，形成烷基化层侧墙；去除光刻胶图形及部分抗反射层，保留烷基化层侧墙及其底部的抗反射层；以烷基化层侧墙为掩膜，刻蚀待刻蚀层形成目标图形。本发明省去了淀积牺牲层及形成牺牲层图形的步骤，以烷基化层侧墙作为刻蚀待刻蚀层的掩膜来获得更好且对称的目标图形形貌，通过调节烷基化反应条件精确控制目标图形尺寸，使整个工艺更可控，产品可靠性更高。

主权项

1.一种自对准双重图形化的方法，其特征在于，包括：步骤1，在硅片上生长待刻蚀层；步骤2，在所述待刻蚀层表面形成抗反射层，在所述抗反射层表面形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光显影形成光刻胶图形；步骤3，用烷基化试剂进行烷基化处理，在所述光刻胶图形的顶部、侧面以及所述抗反射层的表面形成烷基化层；步骤4，回刻所述烷基化层，露出所述光刻胶图形的顶部表面以及所述抗反射层的表面，形成烷基化层侧墙；步骤5，去除所述光刻胶图形以及部分抗反射层，保留所述烷基化层侧墙及烷基化层侧墙底部的抗反射层；步骤6，以烷基化层侧墙为掩膜，刻蚀待刻蚀层，形成目标图形。