[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法在审
| 申请号： | 201910229743.9 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN109950266A | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 翟仁杰;内藤达也;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 田菁 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种图像传感器，包括第一像素单元，所述第一像素单元包括：形成在半导体材料层中的光电二极管；设置在所述半导体材料层之下的电介质层；以及形成在所述电介质层中的用于将穿过所述半导体材料层的光引导到所述光电二极管的导光件，所述导光件的远离所述半导体材料层的底表面被配置为将从所述导光件内部到达所述底表面的光反射回所述导光件内部，所述导光件的侧表面被配置为将从所述导光件内部到达所述侧表面的光反射回所述导光件内部。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开能够提高光的吸收率并且降低光的串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 导光件 半导体材料层 图像传感器 光电二极管 电介质层 像素单元 侧表面 光反射 吸收率 光引导 串扰 配置 穿过 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括第一像素单元，所述第一像素单元包括：形成在半导体材料层中的光电二极管；设置在所述半导体材料层之下的电介质层；以及形成在所述电介质层中的用于将穿过所述半导体材料层的光引导到所述光电二极管的导光件，所述导光件的远离所述半导体材料层的底表面被配置为将从所述导光件内部到达所述底表面的光反射回所述导光件内部，所述导光件的侧表面被配置为将从所述导光件内部到达所述侧表面的光反射回所述导光件内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
