[发明专利]半导体结构的制备方法有效
| 申请号： | 201910186051.0 | 申请日： | 2019-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN111223813B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 施信益 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋洋;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供一基底，具有一导电层；图案化该导电层以形成沿一第一方向延伸的多个导电图案；共形地形成一盖层以覆盖所述多个导电图案；在该盖层的上方形成一图案化硬遮罩；通过该图案化硬遮罩蚀刻所述多个导电图案以形成多个导电岛。在一些实施例中，所述多个导电岛借助沿着该第一方向的多个第一间隙彼此分开。在一些实施例中，所述多个导电岛借助该盖层和沿着与该第一方向不同的一第二方向的多个第二间隙彼此分开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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