[发明专利]半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，包括：

提供一基底，包括一导电层；

图案化该导电层以形成沿一第一方向延伸的多个导电图案；

共形地形成一盖层以覆盖所述多个导电图案；

在该盖层的上方形成一图案化硬遮罩；以及

通过该图案化硬遮罩蚀刻所述多个导电图案以形成多个导电岛，

其中，所述多个导电岛借助沿着该第一方向的多个第一间隙彼此分开，并且借助该盖层和沿着与该第一方向不同的一第二方向的多个第二间隙彼此分开。

2.如权利要求1所述的制备方法，其中该导电层包括掺杂多晶硅、钨、硅化钨、铝、钛、氮化钛或钴。

3.如权利要求1所述的制备方法，还包括形成一边缘图案，其中所述多个导电图案耦接到该边缘图案。

4.如权利要求3所述的制备方法，其中所述多个导电岛与该边缘图案分开。

5.如权利要求1所述的制备方法，其中该盖层覆盖每一个导电图案的一侧壁及一顶表面。

6.如权利要求1所述的制备方法，其中该盖层包括一绝缘材料。

7.如权利要求1所述的制备方法，其中该盖层的厚度在10埃至100埃之间。

8.如权利要求1所述的制备方法，其中形成该图案化硬遮罩还包括步骤：

在该基底的上方形成一钝化层以形成一均匀的表面；

在该钝化层的上方形成一硬遮罩层；以及

图案化该硬遮罩层以形成该图案化硬遮罩。

9.如权利要求8所述的制备方法，其中相邻导电图案之间的空间填充有该钝化层。

10.如权利要求1所述的制备方法，其中所述多个第一间隙沿该第二方向延伸，所述多个第二间隙沿该第一方向延伸。

11.如权利要求10所述的制备方法，其中所述多个第一间隙与所述多个第二间隙形成一栅格，该栅格将所述多个导电岛彼此隔开。

12.如权利要求10所述的制备方法，其中所述多个导电岛的一侧壁通过沿一第三方的所述多个第一间隙暴露，其中该第三方向不同于该第一方向和该第二方向。

13.如权利要求12所述的制备方法，其中该第二方向和该第三方向彼此垂直。

14.如权利要求10所述的制备方法，其中该盖层沿该第二方向覆盖每一个导电岛的一顶表面和一侧壁。

15.如权利要求14所述的制备方法，其中该盖层沿该第二方向覆盖所述多个第二间隙的一底表面和该侧壁。

16.如权利要求1所述的制备方法，其中该基底还包括：

一栅极结构，设置于该基底中；

一掺杂区，设置于该基底中，其中该掺杂区分别设置在该栅极结构的两侧；以及

一第一接触插塞，设置于该基底的上方并且电连接到该掺杂区中的一个。

17.如权利要求16所述的制备方法，其中每一个导电岛通过该第一接触插塞电连接到该掺杂区中的一个。

18.如权利要求16所述的制备方法，还包括：

一字节线结构设置于该基底的上方；以及

一第二接触插塞，设置于该基底的上方并且将字节线结构电连接到另一掺杂区。

19.如权利要求18所述的制备方法，其中该导电岛中的至少一个与该第二接触插塞重叠。

20.如权利要求19所述的制备方法，其中该导电岛中的至少一个与该第二接触插塞电隔离。