[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质在审
| 申请号： | 201910173232.X | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110310890A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 出贝求 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;李宏轩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质，能够实现对高介电常数的膜进行高精度处理。本发明的半导体装置的制造方法包括：(a)氟化工序，对于露出金属氧化膜的基板供给含氟气体，将所述金属氧化膜氟化，形成氟化金属膜；和(b)挥发工序，对于形成了所述氟化金属膜的基板供给含氯气体，将所述氟化金属膜氯化并使其挥发。 | ||
| 搜索关键词： | 氟化 半导体装置 金属膜 基板处理装置 金属氧化膜 基板供给 挥发 制造 高介电常数 含氟气体 含氯气体 氯化 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：(a)氟化工序，对于露出金属氧化膜的基板供给含氟气体，将所述金属氧化膜氟化，形成氟化金属膜；和(b)挥发工序，对于形成了所述氟化金属膜的基板供给含氯气体，将所述氟化金属膜氯化并使其挥发。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
