[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201910167490.7 | 申请日: | 2019-03-06 |
公开(公告)号: | CN110970444A | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
发明(设计)人: | 赤田裕亮 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11578;H01L25/065 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 实施方式提供一种能够实现小型、薄型化的半导体装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备:衬底,在第1面具有第1端子;以及第1半导体芯片,设置在第1面,且具有第2端子。第1半导体芯片在平行于第1面的方向上离开粘着性树脂而设置。此外,该半导体装置具备将第1端子与第2端子电连接的第1连接材。第1连接材的一部分埋入粘着性树脂中。进而,该半导体装置具备设置在衬底的第1面的第2半导体芯片以及设置在第2半导体芯片与第1面之间的粘着性树脂。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的