[发明专利]一种交叉结构高增益两级运算跨导放大器在审
| 申请号： | 201910154186.9 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN109728786A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 武华;彭莉;徐美珍;袁寿财;陈康;赖运达 | 申请（专利权）人： | 赣南师范大学 |
| 主分类号： | H03F1/14 | 分类号： | H03F1/14;H03F1/26;H03F3/30;H03G3/30 |
| 代理公司： | 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 | 代理人： | 包晓静 |
| 地址： | 341000 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种交叉结构高增益两级运算跨导放大器，涉及运算跨导放大器技术领域，解决了现有放大器存在增益低、输出极点频率低和电路稳定性较差的问题，其技术方案要点是：包括两级放大电路、阻尼因子控制模块电路和为电路结构提供偏置电压的偏置电路；两级放大电路的第一级为PMOS管差分输入放大电路，第二级为共源增益级的互补推挽驱动电路；阻尼因子控制模块电路与PMOS管差分输入放大电路的输出端连接；共源增益级的互补推挽驱动电路的输出端与输入端之间设有用于形成密勒补偿通路的第一电容C1，能够稳定电路，在整个电路处于低功耗的情况下，还具有提高电路的增益、共模抑制比和电源抑制比的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 两级放大电路 输入放大电路 阻尼因子控制 跨导放大器 互补推挽 交叉结构 两级运算 模块电路 驱动电路 高增益 增益级 共源 电路 运算跨导放大器 放大器 技术方案要点 电路稳定性 电源抑制比 共模抑制比 输出端连接 电路结构 密勒补偿 偏置电路 偏置电压 输出极点 稳定电路 电容 低功耗 第一级 输出端 输入端 | ||
【主权项】：
1.一种交叉结构高增益两级运算跨导放大器，其特征是：包括两级放大电路、阻尼因子控制模块电路和为电路结构提供偏置电压的偏置电路；所述两级放大电路的第一级放大电路为PMOS管差分输入放大电路，第二级放大电路为共源增益级的互补推挽驱动电路；所述PMOS管差分输入放大电路的输出端与所述共源增益级的互补推挽驱动电路的输入端连接；所述阻尼因子控制模块电路与所述PMOS管差分输入放大电路的输出端连接；所述共源增益级的互补推挽驱动电路的输出端与输入端之间设有用于形成密勒补偿通路的第一电容C1。
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- 本实用新型公开一种前馈补偿式跨导运算放大器，包括差分第一增益级电路、差分第二增益级电路和前馈频率补偿电路，差分第一增益级电路与差分第二增益级电路串接后与前馈频率补偿电路并联。前馈频率补偿电路为折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，该前馈频率补偿电路包括：共源共栅结构的PMOS管M3、NMOS管M1；共源共栅结构的PMOS管M6、NMOS管M4；PMOS管M2、M5以及提供尾电流的NMOS管M7、M8、M9。由于本实用新型采用折叠式共源共栅结构前馈频率补偿电路，来取代传统极点分离密勒补偿技术，保证了电路系统稳定的同时，大大提高了系统的带宽，没有使用电容，芯片的面积也大大缩小。
- 用于多级放大器的米勒补偿的装置和方法-201280005179.9
- E·伊瓦诺夫;A·卡尔布 - 美国亚德诺半导体公司
- 2012-01-06 - 2013-09-25 - H03F1/14
- 一种放大器电路（300）包括具有第一输出节点（331）的第一放大器级（380）、具有第二输出节点（332）的第二放大器级（390）以及电耦接在所述第一和第二输出节点之间的补偿块（330）。所述补偿块具有电耦接到所述第一节点且可电连接到所述第二节点的补偿电容（342），且具有可电连接到所述补偿电容的阻抗（360）。所述补偿电容通过开关（357）电耦接到所述阻抗，使得当所述补偿电容与所述第二节点断开时，所述补偿电容可向由所述补偿电容和阻抗形成的并联支路贡献零点。
- 金属氧化物半导体电路设计及其操作方法-200880015149.X
- 苗国庆;赛福拉·巴扎亚尼 - 高通股份有限公司
- 2008-03-27 - 2010-03-24 - H03F1/14
- 由核心晶体管制成的互补金属氧化物半导体(CMOS)电路能够从具有超过所述晶体管的可靠性极限的电压的IO电源可靠地操作。在实施例中，将运算放大器的偏压部分地改变成对应于所述可靠性极限的固定电压。在实施例中，开关电容器网络由包括核心晶体管的一个或一个以上放大器及开关制成，但并不将所述核心晶体管暴露于超过其可靠性极限的电压。在实施例中，运算跨导放大器(OTA)包括核心晶体管且从IO电源操作。可使用用于移位断电信号的电平的电平移位器来避免在关断期间所述OTA的核心晶体管的过度电压应力。可使用非电平移位装置箝位所述OTA的输出电压及选定的内部电压，从而还避免在关断期间所述核心晶体管的过度电压应力。
- 专利分类
