[发明专利]一种含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体及其制备方法有效
| 申请号： | 201910138807.4 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN109851798B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 周权;宋宁;倪礼忠;杨明泽 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C08G79/14 | 分类号： | C08G79/14;C04B35/48;C04B35/56;C04B35/571;C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 高一平;徐迅 |
| 地址： | 200237 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一类以B‑O‑Si‑O‑Zr为主链含硼、锆、硅的单源性陶瓷前驱体的制备方法。该聚合物ZBS以苯硼酸、乙烯基三甲氧基硅烷、正丙醇锆、乙酰丙酮为原料，乙酸乙酯作溶剂，在惰性气体的保护下，分两步反应制得。第一步反应：正丙醇锆与乙酰丙酮之间的配位鳌合反应；第二步反应：苯硼酸、乙烯基三甲氧基硅烷与鳌合产物之间的取代反应；除溶剂制得产物BZS。该聚合物在普通低沸点有机溶剂中具有良好的溶解性，解决了以往前驱体合成法产物难溶解的问题，另该外制备方法工艺简单、操作方便，反应条件易于控制，可同时向体系内引入硼、锆、硅且可通过调节结构中硼、锆、硅的摩尔比从而改善其耐高温性能。本发明阐述的含硼、锆、硅聚合物中，在管式炉高纯氩气氛中1600℃保温5h后，硼、锆、硅含量分别为：4.38%（wt%）、36.94%（wt%）18.47%（wt%），陶瓷转化率达80.25%。为ZrB |
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| 搜索关键词： | 一种 硅单源性 陶瓷 前驱 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.本发明涉及一种新型耐高温材料含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体，新型耐高温材料含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体的结构式见说明书附图1。
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