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- [发明专利]一种ZrB2-CN202111583215.7有效
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韩文波;赵广东;武世斌;张幸红;王春霖;王武举
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哈尔滨工业大学
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2021-12-22
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2022-11-29
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C08G79/14
- 一种ZrB2‑SiC复相陶瓷先驱体的制备方法，本发明涉及一种ZrB2‑SiC复相陶瓷先驱体的制备方法，本发明的目的是为了解决现有制备的单一相先驱体陶瓷抗氧化性不足的问题，本发明通过调节硼烷二甲硫醚、正丙醇锆及苯基三氯硅烷的相对含量，对聚合物先驱体进行分子调控，重点解决在陶瓷烧结后B、Zr、Si、C等元素在陶瓷中的相组成问题，同时确保将B、Zr、Si等元素键合为一种大分子网络结构。由于硼硅酸盐高温下形成的玻璃层具有一定的协同作用，可以更好提升材料抗氧化性，本发明ZrB2‑SiC复相陶瓷均一性好，抗氧化性能优异的特点。本发明适用于陶瓷先驱体制备领域。
- 一种zrbbasesub
- [发明专利]一种含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体及其制备方法-CN201910138807.4有效
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周权;宋宁;倪礼忠;杨明泽
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华东理工大学
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2019-02-25
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2021-10-29
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C08G79/14
- 本发明公开了一类以B‑O‑Si‑O‑Zr为主链含硼、锆、硅的单源性陶瓷前驱体的制备方法。该聚合物ZBS以苯硼酸、乙烯基三甲氧基硅烷、正丙醇锆、乙酰丙酮为原料，乙酸乙酯作溶剂，在惰性气体的保护下，分两步反应制得。第一步反应：正丙醇锆与乙酰丙酮之间的配位鳌合反应；第二步反应：苯硼酸、乙烯基三甲氧基硅烷与鳌合产物之间的取代反应；除溶剂制得产物BZS。该聚合物在普通低沸点有机溶剂中具有良好的溶解性，解决了以往前驱体合成法产物难溶解的问题，另该外制备方法工艺简单、操作方便，反应条件易于控制，可同时向体系内引入硼、锆、硅且可通过调节结构中硼、锆、硅的摩尔比从而改善其耐高温性能。本发明阐述的含硼、锆、硅聚合物中，在管式炉高纯氩气氛中1600℃保温5h后，硼、锆、硅含量分别为：4.38%（wt%）、36.94%（wt%）18.47%（wt%），陶瓷转化率达80.25%。为ZrB2‑ZrC‑ZrO2‑SiC复相陶瓷的制备提供了一种新的方法，在耐高温材料方面得到进一步应用。
- 一种硅单源性陶瓷前驱及其制备方法
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