[发明专利]一种含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体及其制备方法有效
| 申请号： | 201910138807.4 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN109851798B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 周权;宋宁;倪礼忠;杨明泽 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C08G79/14 | 分类号： | C08G79/14;C04B35/48;C04B35/56;C04B35/571;C04B35/58;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人： | 高一平;徐迅 |
| 地址： | 200237 上海市徐汇*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅单源性 陶瓷 前驱 及其 制备 方法 | ||
1.一种耐高温材料含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体，其特征在于，所述耐高温材料含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体的结构式为
所述前驱体是如下制备的：
(1)第一步反应：在惰性气体保护下，通过乙酰丙酮与正丙醇锆配位鳌合反应生成二乙酰基二正丙醇锆；
(2)第二步反应：在惰性气体保护下，苯硼酸、乙烯基三甲氧基硅烷与第一步生成的结构单体反应，经过除溶剂后得到最终产物；
乙酰丙酮与正丙醇锆的摩尔比为2：1；苯硼酸、正丙醇锆、乙烯基三甲氧基硅烷的摩尔比为(0.8～1)：1：(0.8～3)，且苯硼酸与乙烯基三甲氧基硅烷的摩尔比在1～0.3之间；
第一步反应中，乙酰丙酮滴加完毕后，反应温度控制在30～50℃之间，反应时间为20～60min；
第二步反应中，加入苯硼酸与乙烯基三甲氧基硅烷后，反应温度控制在50～80℃之间，反应时间为4-10小时。
2.权利要求1所述的耐高温材料含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体的制备方法，其主要步骤为：
(1)第一步反应：在惰性气体保护下，通过乙酰丙酮与正丙醇锆配位鳌合反应生成二乙酰基二正丙醇锆；
(2)第二步反应：在惰性气体保护下，苯硼酸、乙烯基三甲氧基硅烷与第一步生成的结构单体反应，经过除溶剂后得到最终产物。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：乙酰丙酮与正丙醇锆的摩尔比为2：1；苯硼酸、正丙醇锆、乙烯基三甲氧基硅烷的摩尔比为(0.8～1)：1：(0.8～3)，且苯硼酸与乙烯基三甲氧基硅烷的摩尔比在1～0.3之间。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：第一步反应中，乙酰丙酮滴加完毕后，反应温度控制在30～50℃之间，反应时间为20～60min。
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：第二步反应中，加入苯硼酸与乙烯基三甲氧基硅烷后，反应温度控制在50～80℃之间，反应时间为4-10小时。
6.权利要求1所述的耐高温材料含硼、锆、硅单源性陶瓷前驱体，其特征在于：高纯氩气保护下，1600℃管式炉内保温5h后得到ZrB2-ZrC-ZrO2-SiC复相陶瓷。
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