[发明专利]每个像素区域具有多个透镜的图像传感器在审

申请号：	201910137817.6	申请日：	2019-02-25
公开（公告）号：	CN110310965A	公开（公告）日：	2019-10-08
发明（设计）人：	陈暎究;金永灿;吉珉墡	申请（专利权）人：	三星电子株式会社
主分类号：	H01L27/146	分类号：	H01L27/146
代理公司：	北京铭硕知识产权代理有限公司 11286	代理人：	刘润蓓;陈晓博
地址：	韩国京畿***	国省代码：	韩国;KR
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摘要：	提供了图像传感器。图像传感器包括基底，所述基底包括像素区域、第一表面和与第一表面相对的第二表面。图像传感器包括位于第一表面上并且构造为响应于像素区域中的入射光产生电荷的第一光电门和第二光电门。此外，图像传感器包括第一微透镜和第二微透镜，所述第一微透镜和第二微透镜位于第二表面上并且构造为使入射光朝向第一光电门和第二光电门传输。
搜索关键词：	图像传感器光电门微透镜第一表面像素区域第二表面入射光基底透镜电荷传输响应
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【主权项】：

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，包括像素区域、第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一光电门和第二光电门，位于第一表面上并且构造为响应于像素区域中的入射光产生电荷；第一微透镜和第二微透镜，共用包括像素区域的像素，位于第二表面上并且构造为使入射光朝向第一光电门和第二光电门传输。

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摘要：在固态成像元件的像素阵列单元(111)中以矩阵方式二维排列的像素(120‑1,120‑2)中，内部埋设有遮光膜(142‑1,142‑2,142‑3)的光电转换膜(141)形成并堆叠在光电二极管(151‑1,151‑2)的光入射侧上。本技术可以应用于例如可与全域快门系统兼容的CMOS图像传感器。

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摘要：本发明提供一种光电转换装置和设备。该光电转换装置包括：光电转换基板，其具有多个光电转换部分和布置在所述多个光电转换部分上的微透镜阵列；覆盖微透镜阵列的透光板；布置在微透镜阵列与透光板之间的膜，其中，所述膜具有：在1.05到1.15的范围内的折射率，98.5％以上的在400nm到700nm的波长范围内的光的平均透射率，以及在500nm至5000nm的范围内的膜厚度。

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摘要：本申请提供一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立排列的光电器件；沟槽隔离结构，形成于所述半导体衬底中且位于所述光电器件之间；第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，形成于所述光电器件上的半导体衬底内且位于所述沟槽隔离结构之间；传输栅极，形成于所述光电器件一侧的沟槽隔离结构中，所述传输栅极的两端分别与所述第一浮置扩散区和光电器件接近；控制栅极，形成于所述光电器件上的半导体衬底的第一表面上，所述控制栅极的两端分别与所述第一浮置扩散区和第二浮置扩散区接近。本申请实现了图像传感器的高动态范围和高灵敏度，提高了图像传感器的性能。

图像传感器及其制造方法-201910716338.X
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摘要：本申请公开了一种图像传感器及其制造方法。所述图像传感器包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的多个感光器件；位于所述半导体衬底内的隔离结构；以及位于所述半导体衬底上的多个滤光层，所述多个滤光层与所述多个感光器件在位置上一一对应并包括至少一对彼此相邻且具有相同颜色的滤光层，其中，所述隔离结构仅存在于彼此相邻且具有不同颜色的滤光层所对应的感光器件之间。在本申请的图像传感器及其制造方法中，相同颜色的滤光层所对应的感光器件之间不设置DTI结构，因此同色光之间不存在串扰，能够达到良好的光利用率，同时DTI结构的数量的减少也带来了暗电流的减少。

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摘要：本申请涉及摄像头技术领域，具体地涉及一种摄像头模组封装结构及其制作方法。所述摄像头模组封装结构包括：电路板，所述电路板包括第一表面和第二表面；固定连接的传感器芯片和滤光片，其中，所述传感器芯片的背面形成有焊块，所述传感器芯片的正面正对所述滤光片；所述固定连接的传感器芯片和滤光片封装在所述电路板的贯穿孔中，并且所述传感器芯片的背面朝向所述电路板的第二表面。本申请所述摄像头模组封装结构及其制作方法，先将滤光片和传感器芯片固定连接，再对所述固定连接的传感器芯片和滤光片进行封装，提高了工艺集成度，在封装过程中，所述传感器芯片被滤光片保护，提高了产品良率。

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摘要：本公开涉及能够进一步减少元件布局面积的固态成像元件、电子设备和制造方法。根据本发明，设置在半导体基板的第一面上的光电转换元件通过贯通电极连接到设置在所述半导体基板的第二面上的浮动扩散部和放大晶体管的栅极，所述贯通电极设置在所述半导体基板的所述第一面和所述第二面之间并连接到所述光电转换元件。对于这种像素结构，电介质层设置在所述第二面上的所述贯通电极之间，并且当从所述第二面侧观看时，屏蔽电极设置在电介质层的内侧。所述电介质层形成为比布置在所述第二面侧的所述晶体管的栅极绝缘膜厚。例如，本公开适用于堆叠背面照射型固态成像元件。

固态摄像装置和电子设备-201880020160.9
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申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L27/146
摘要：本技术涉及一种固态成像装置和一种电子设备，由此可以使用堆叠在传感器衬底的上表面上的遮光体衬底来抑制鬼影噪声出现在所述传感器衬底的输出中。一种根据本技术的第一方面的固态成像装置包括：至少具有第一像素区域和第二像素区域的传感器衬底；以及遮光体衬底，其堆叠在所述传感器衬底的上表面上，且具有围绕多个光传导路径的遮光体，其中所述多个光传导路径至少包括对应于所述第一像素区域的第一光传导路径，以及对应于所述第二像素区域的第二光传导路径，包括在所述第一像素区域中的多个像素具有基于所述第一像素区域中相应的像素位置的遮光结构，且包括在所述第二像素区域中的多个像素具有基于所述第二像素区域中相应的像素位置的遮光结构。本技术可以例如应用于背面照明式CMOS图像传感器。

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申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/146
摘要：本发明提供了一种芯片的封装方法、半导体结构及其制备方法，首先刻蚀所述基底的背面，以形成第一沟槽，以露出所述焊盘结构的至少部分；再形成填充所述第一沟槽并覆盖所述基底的背面的第一金属层，最后去除所述第一金属层中对应所述晶粒边缘的部分，所述基底的正面形成有多个晶粒，后续为了将各个晶粒分开，会对所述基底进行切割，由于去除所述第一金属层中对应所述晶粒边缘的部分，在切割时不会因为切偏或者刀口过大而造成第一金属层从芯片的边缘曝露出来，从而避免了芯片失效的问题，提高了芯片封装的可靠性。进一步，整个封装方法过程简单，封装成本较低。

图像传感器及其形成方法-201910721627.9
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申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L27/146
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述形成方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底具有的第一面；在所述第一衬底第一面形成抗反射层，并且在垂直于所述第一面的方向上，所述抗反射层的厚度为预设厚度；形成贯穿所述抗反射层和所述第一衬底的通孔；在所述通孔内形成第一导电层，所述抗反射层表面暴露出所述第一导电层表面；在形成所述第一导电层后，在所述抗反射层表面形成栅格层。所述形成方法能够节省制造图像传感器的时间和成本。

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摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：基底，所述基底包括若干相互分立的光电区，相邻光电区之间具有隔离区；位于所述隔离区表面的栅格层，所述栅格层包括第一栅格结构，且所述第一栅格结构的材料具有第一折射率；位于所述光电区的基底上的滤光层，所述滤光层的材料具有第二折射率，且所述第二折射率大于所述第一折射率。所述图像传感器的性能较好。

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摘要：本发明公开了一种图像传感器封装结构，该封装结构为立方体封装结构；该立方体封装结构的底面为接口集合面，顶面和四周的四个面均为像素阵列面。通过采用立方体封装结构，并将底面设为接口集合面，将顶面和四周的四个面均设为像素阵列面，形成一种5方向的图像传感器，在一个图像传感器中实现了更多方向的传感，解决了现有封装方式传感方向单一的问题。

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摘要：本发明实施例公开了一种封装结构、图像采集模组以及智能手机终端，该封装结构包括：功能芯片，功能芯片的第一表面包括至少一个第一焊盘；形成在功能芯片第一表面上的第一粘结层，第一粘结层露出第一焊盘；形成在第一粘结层上的盖板；形成在功能芯片上方的印刷电路板，印刷电路板的第二表面包括至少一个第二焊盘，功能芯片第一表面上的第一焊盘与印刷电路板第一表面上的至少一个第二焊盘电连接，第二焊盘的数量与第一焊盘的数量相同，且一一对应。本发明实施例中的技术方案减小了封装结构在垂直于功能芯片第一表面方向的厚度，即减少了封装结构的整体厚度，解决了现有技术中智能手机等移动终端内部空间日益紧张的技术问题。

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摘要：本发明提供一种提高背照式红外图像传感器性能的方法，包括：光线照射至背照式红外图像传感器；背照式红外图像传感器具有深度大于等于10微米的半导体层适于吸收光线中的近红外光线。

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摘要：提供能减弱混色的、高精细且灵敏度良好的固体拍摄元件及其制造方法。本实施方式所涉及的固体拍摄元件在二维配置有多个光电变换元件(11)的半导体基板(10)上，具有与各光电变换元件(11)对应地配置有多种颜色的彩色滤光片(14、15、16)的彩色滤光片图案，形成有使得在半导体基板(10)与彩色滤光片(14、15、16)之间形成的使得可见光透射的层、和在相邻的彩色滤光片(14、15、16)之间形成的使得可见光透射的层相连续的间隔壁层(12)，多种颜色的彩色滤光片(14、15、16)中的面积最大的彩色滤光片(14)的边缘部和间隔壁层(12)中包含的边缘部相连续，在面积最大的彩色滤光片(14)的侧壁形成有对间隔壁层(12)进行蚀刻时的反应生成物层(40)。

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发明人：阿久津良宏 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/146
摘要：本发明提供一种图像传感器的隔离结构及其形成方法、图像传感器及其形成方法。所述隔离结构的形成方法包括：提供基底，所述基底中设置有多个分立的像素区域；在所述基底中形成多个分立的第一沟槽，所述第一沟槽位于相邻的像素区域之间，且所述第一沟槽的开口位于所述基底的第一表面；形成多个分立的第一隔离结构，所述第一隔离结构位于所述第一沟槽内，且所述第一隔离结构未填充满所述第一沟槽；以及形成多个分立的第二隔离结构，所述第二隔离结构位于所述第一隔离结构的表面，且所述第二隔离结构的一部分位于所述第一沟槽内。所述隔离结构及其形成方法、所述图像传感器及其形成方法能够降低像素区域之间的光线串扰。

图像传感器及其形成方法-201910726407.5
发明人：阿久津良宏 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-07 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/146
摘要：一种图像传感器及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成初始光电掺杂区；在初始光电掺杂区内形成相互分立的初始隔离区，所述初始隔离区内掺杂有第一离子和第二离子，第一离子的导电类型和初始光电掺杂区的导电类型相反，第二离子的导电类型和和初始光电掺杂区的导电类型相同，且第二离子的扩散速率大于第一离子的扩散速率；进行热处理，使初始隔离区内的第一离子和第二离子扩散，在初始光电掺杂区内形成主光电掺杂区、相互分立的隔离区以及相互分立的附加光电掺杂区，所述附加光电掺杂区的导电类型和主光电掺杂区的导电类型相同，所述隔离区的导电类型和主光电掺杂区的导电类型相反。所述方法形成的图像传感器的性能较好。

图像传感器及其形成方法-201910754167.X
发明人：吴明;郭松辉;林宗贤;孙明亮;朱晓彤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/146
摘要：一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底；凸透镜，位于所述半导体衬底的表面；凸透曲面结构，位于所述凸透镜的表面；其中，所述凸透曲面结构的上表面与下表面均为曲面，且所述上表面的曲率半径小于下表面的曲率半径；所述凸透曲面结构的上表面为远离所述半导体衬底的表面，所述凸透曲面结构的下表面为邻近所述半导体衬底的表面。本发明方案有利于降低光线串扰，并且提高光电转换的效率。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]每个像素区域具有多个透镜的图像传感器在审

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