[发明专利]静态随机存取记忆体元件

摘要

本申请提供一种静态随机存取记忆体元件。在一实施方式中，静态随机存取记忆体元件包含第一传输栅极场效晶体管(FET)和第一上拉场效晶体管，形成于第一N型井区域(N‑Well)中的至少一硅锗鳍片之上；第二传输栅极场效晶体管和第二上拉场效晶体管形成于第二N型井区域中的至少一硅锗鳍片之上；第一下拉场效晶体管形成于介于第一和第二N型井区域之间的P型井(P‑well)区域中的数个硅鳍片的其中一个之上；以及第二下拉场效晶体管形成于P型井区域中的数个硅鳍片的另一个之上。

主权项

1.一种静态随机存取记忆体元件，其特征在于，包含：/n一P型井区域；/n一第一N型井区域和一第二N型井区域，位于该P型井区域的相对两侧；/n多个硅鳍片，位于该P型井区域中；/n至少一硅锗鳍片，位于该第一N型井区域中；/n至少一硅锗鳍片，位于该第二N型井区域中；/n一第一传输栅极场效晶体管和一第一上拉场效晶体管，形成于该第一N型井区域中的该至少一硅锗鳍片之上；/n一第二传输栅极场效晶体管和一第二上拉场效晶体管，形成于该第二N型井区域中的该至少一硅锗鳍片之上；/n一第一下拉场效晶体管，形成于该P型井区域中的所述多个硅鳍片的其中一个之上；以及/n一第二下拉场效晶体管，形成于该P型井区域中的所述多个硅鳍片中的另一个之上，/n其中该第一和第二传输栅极场效晶体管以及该第一和第二上拉场效晶体管的通道区域包含第一硅锗合金，且该第一和第二传输栅极场效晶体管以及该第一和第二上拉场效晶体管的源极/漏极区域包含第二硅锗合金，其中该第一硅锗合金的组成或杂质掺杂不同于该第二硅锗合金。/n