[发明专利]一种具有内嵌异质结二极管自保护的碳化硅槽型场氧功率MOS器件在审
| 申请号： | 201910126536.0 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN109768090A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 胡盛东;安俊杰 | 申请（专利权）人： | 重庆大学;安俊杰 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有内嵌异质结二极管自保护的碳化硅槽型场氧功率MOS器件，一方面在常规的槽型场氧器件基础上采用异质结肖特基二极管结构，即多晶硅与碳化硅直接接触，在降低器件制造成本的同时，降低JFET区域的电阻从而减小器件的导通损耗，消除由于肖特基金属退火温度差引起的肖特基势垒不可控的可靠性问题，从而达到降低具有二极管结构的碳化硅槽型场氧器件的工艺制造难度。另一方面，在槽型结构底部采用P型保护层来有效降低栅极氧化层的电场强度，增加器件的可靠性，缓解MOS器件击穿电压与导通电阻之间的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 槽型 场氧 异质结二极管 功率MOS器件 自保护 内嵌 肖特基二极管结构 退火 二极管结构 可靠性问题 肖特基势垒 栅极氧化层 槽型结构 导通电阻 导通损耗 工艺制造 击穿电压 降低器件 制造成本 保护层 常规的 多晶硅 温度差 肖特基 异质结 电阻 减小 金属 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种具有内嵌异质结二极管自保护的碳化硅槽型场氧功率MOS器件，所述MOS器件从下往上依次包括漏极金属(11)、N型衬底层(1)、N型漂移区(2)、N型载流子扩散区(3)、P型沟道层(4)、源极金属(10)，其特征在于，所述MOS器件还设置有P保护层(9)、N型源区(5)、源极多晶硅(8)、所述槽型栅电极采用分裂栅极结构，所述P保护层(9)半包围槽型栅电极以及源极多晶硅(8)。
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