[发明专利]半导体存储器及半导体存储器的制造方法

摘要

本发明的实施方式提供一种能够提高良率的半导体存储器及半导体存储器的制造方法。本发明的实施方式的半导体存储器包含多个第1导电体膜、第2导电体膜、第1柱、及第2柱。多个第1导电体膜(23)介隔各个绝缘层而积层。第2导电体膜(25)介隔绝缘层而形成在多个第1导电体膜的上方。第1柱LP包含沿多个第1导电体膜的积层方向贯通多个第1导电体膜的第1半导体膜(31)、及设置在第1半导体膜的侧面的第1绝缘体(32)。第2柱UP设置在第1柱上。第2柱包含沿积层方向贯通第2导电体膜且与第1柱内的第1半导体膜电性连接的第2半导体膜(41)、设置在第2半导体膜的侧面的第2绝缘体(43)、及侧面和上表面被所述第2绝缘体覆盖且与第2导电体膜接触的第3导电体膜(46)。