[发明专利]半导体存储装置及其控制方法有效
申请号: | 201910093774.6 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN110931501B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 加藤竜也;嶋田裕介;荒井史隆 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
主分类号: | H10B43/27 | 分类号: | H10B43/27;H10B43/35;H10B41/27;H10B41/35;G11C16/08;G11C16/24 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式涉及一种半导体存储装置及其控制方法。实施方式的半导体存储装置的控制方法是在半导体存储装置中,对第2导电层施加小于第1电压的第2电压,且对第3导电层施加大于第1电压的第3电压,从而从存储单元读出数据,所述半导体存储装置使用:衬底;板状的第1导电层,与衬底隔开且与衬底面平行地设置在衬底上;板状的第2导电层,与第1导电层隔开且与衬底面平行地设置在第1导电层上;板状的第3导电层,与第2导电层隔开且与衬底面平行地设置在第2导电层上;绝缘体,贯通第1、第2及第3导电层地设置;沟道体,设置在第1、第2及第3导电层与绝缘体之间,且延伸到衬底面;及存储单元,设置在第1导电层与沟道体之间且具有电荷储存膜。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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