[发明专利]TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板在审
申请号: | 201910041297.9 | 申请日: | 2019-01-16 |
公开(公告)号: | CN109786323A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 马倩;任章淳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板,包括提供一基板,在所述基板上依次制备遮光层、缓冲层;在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、以及源漏金属层;其中,在所述有源层的一侧制备光吸收层。通过在源漏极下方设置黑色光阻或在遮光层上方设置黑色光阻作为吸收层,用以吸收光线,能够避免大部分光线反射到有源层,进而改善TFT器件性能。 | ||
搜索关键词: | 制备 源层 缓冲层 遮光层 光阻 基板 层间绝缘层 源漏金属层 栅极绝缘层 光吸收层 光线反射 吸收层 源漏极 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:S10,提供一基板,在所述基板上依次制备遮光层、缓冲层;S20,在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、以及源漏金属层;其中,在所述有源层的一侧制备光吸收层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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