[发明专利]TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板

说明书

一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板，包括提供一基板，在所述基板上依次制备遮光层、缓冲层；在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、以及源漏金属层；其中，在所述有源层的一侧制备光吸收层。通过在源漏极下方设置黑色光阻或在遮光层上方设置黑色光阻作为吸收层，用以吸收光线，能够避免大部分光线反射到有源层，进而改善TFT器件性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板。

背景技术

顶栅自对准氧化物由于寄生电容较小，是目前大尺寸显示面板首选的TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)背板技术，顶栅自对准氧化物TFT器件通常采用IGZO(indium gallium zinc oxide，铟镓锌氧化物)作为有源层，这种材料对光照敏感，因此氧化物TFT器件会设计一层遮光层，用以遮挡TFT器件底部的光。

但在实际工艺制作过程中，由于TFT器件的栅极、源极、漏极以及遮光层都是由金属材料制作而成的，光线经由器件内部金属的层间反射，一部分光线最终会反射到有源层，进而影响TFT器件性能，影响器件的寿命。

发明内容

本发明提供一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板，以解决现有的TFT阵列基板，由于TFT器件大部分是由金属材料制备，光线经由器件内部金属的层间反射，导致一部分光线最终反射到有源层，进而影响到TFT器件性能，影响器件的寿命的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种TFT阵列基板的制备方法，包括：

S10，提供一基板，在所述基板上依次制备遮光层、缓冲层；

S20，在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、以及源漏金属层；其中，在所述有源层的一侧制备光吸收层

在本发明的至少一种实施例中，在所述遮光层靠近所述有源层的一侧制备光吸收层。

在本发明的至少一种实施例中，所述S10包括：

S101，提供一基板，在所述基板上沉积金属膜层；

S102，在所述金属膜层表面涂布黑色光阻，对所述黑色光阻进行曝光、显影，形成光吸收层；

S103，对所述金属膜层进行刻蚀，形成图案化的遮光层；

S104，在所述光吸收层上制备所述缓冲层。

在本发明的至少一种实施例中，在所述源漏金属层靠近所述有源层的一侧制备所述光吸收层。

在本发明的至少一种实施例中，所述S20包括：

S201，在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极；

S202，在所述缓冲层上沉积无机材料；

S203，在所述无机材料表面涂布黑色光阻，对所述黑色光阻进行曝光、显影，形成光吸收层；

S204，对所述无机材料进行刻蚀，形成图案化的层间绝缘层；

S205，在所述光吸收层上制备源漏金属层。

在本发明的至少一种实施例中，所述栅极和所述栅极绝缘层经过同一道黄光工艺制备。

在本发明的至少一种实施例中，所述栅极和所述栅极绝缘层的制备过程包括：

在所述有源层表面沉积一层栅极绝缘材料；

在所述栅极绝缘材料表面沉积一层栅极金属薄膜；