[发明专利]TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板

权利要求书

1.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

S10，提供一基板，在所述基板上依次制备遮光层、缓冲层；

S20，在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、以及源漏金属层；其中，

在所述有源层的一侧制备光吸收层。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述遮光层靠近所述有源层的一侧制备光吸收层。

3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述S10包括：

S101，提供一基板，在所述基板上沉积金属膜层；

S102，在所述金属膜层表面涂布黑色光阻，对所述黑色光阻进行曝光、显影，形成光吸收层；

S103，对所述金属膜层进行刻蚀，形成图案化的遮光层；

S104，在所述光吸收层上制备所述缓冲层。

4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述源漏金属层靠近所述有源层的一侧制备所述光吸收层。

5.根据权利要求4所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述S20包括：

S201，在所述缓冲层上依次制备有源层、栅极绝缘层、栅极；

S202，在所述缓冲层上沉积无机材料；

S203，在所述无机材料表面涂布黑色光阻，对所述黑色光阻进行曝光、显影，形成光吸收层；

S204，对所述无机材料进行刻蚀，形成图案化的层间绝缘层；

S205，在所述光吸收层上制备源漏金属层。

6.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述栅极和所述栅极绝缘层经过同一道黄光工艺制备。

7.根据权利要求6所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述栅极和所述栅极绝缘层的制备过程包括：

在所述有源层表面沉积一层栅极绝缘材料；

在所述栅极绝缘材料表面沉积一层栅极金属薄膜；

在所述栅极金属薄膜表面形成图案化的光刻胶，对所述栅极金属薄膜进行刻蚀，形成图案化的所述栅极；

以所述栅极为自对准，对所述栅极绝缘材料进行刻蚀，形成图案化的栅极绝缘层。

8.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

遮光层，形成于所述基板上；

缓冲层，形成于所述遮光层上；

有源层，形成于所述缓冲层上；

栅极绝缘层，形成于所述有源层上；

栅极，形成于所述栅极绝缘层上；

层间绝缘层，形成于所述栅极上；

源漏金属层，形成于所述层间绝缘层上；其中，

所述有源层的一侧设置有光吸收层。

9.根据权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述光吸收层设置于所述遮光层靠近所述有源层的一侧，所述光吸收层与所述源漏金属层对应设置，所述光吸收层为黑色光阻层。

10.根据权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述光吸收层设置于所述源漏金属层靠近所述有源层的一侧，所述光吸收层与所述源漏金属层对应设置，所述光吸收层为黑色光阻层。