[发明专利]一种碳化硅衬底的制备方法及其批量制备方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅衬底的制备方法及其批量制备方法。通过将碳化硅晶片刻蚀后，在其表面生长一层石墨烯，然后以其作为籽晶，采用化学气相沉积法继续在其表面生长制备得到碳化硅衬底。该方法制备周期短，制备得到的碳化硅衬底的性能一致性好，合格率高达90％以上，制备得到的P型碳化硅衬底的电阻率在0.5Ω·cm以下，N型碳化硅衬底的电阻率在0.01‑0.02Ω·cm，微管密度均在0.1cm^‑2以下。

主权项

1.一种碳化硅衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)对碳化硅晶片进行原位刻蚀；(2)在原位刻蚀后的碳化硅晶片表面生长石墨烯，得到表面含有石墨烯的碳化硅籽晶；(3)利用化学气相沉积法在表面含有石墨烯的碳化硅籽晶上生长碳化硅衬底；(4)将碳化硅衬底从含有石墨烯的碳化硅籽晶上剥离，即可得到所述碳化硅衬底。