[发明专利]GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法无效
| 申请号： | 201210249552.7 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN102790118A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 孙玉润;董建荣;李奎龙;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用晶格异变技术的GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池，包括Ge子电池，以及在Ge子电池上依次设置的InGaAs或GaInP的缓冲层、第一隧道结、第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二隧道结、第二渐变过渡层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。本发明还提供一种该电池制备方法，包括步骤：提供一Ge子电池；在Ge子电池表面生长InGaAs或GaInP的缓冲层；在InGaAs或GaInP的缓冲层表面生长第一隧道结；在第一隧道结表面生长第一渐变过渡层；在第一渐变过渡层表面生长InGaAs子电池；在InGaAs子电池表面生长第二隧道结；在第二隧道结表面生长第二渐变过渡层；在第二隧道结表面生长GaAs子电池；在GaAs子电池表面生长第三隧道结；在第三隧道结表面生长GaInP子电池；在GaInP子电池表面生长GaAs接触层。 | ||
| 搜索关键词： | gainp gaas ingaas ge 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结太阳能电池，其特征在于，包括Ge子电池，以及在所述Ge子电池上依次设置的InGaAs或GaInP的缓冲层、第一隧道结、第一渐变过渡层、InGaAs子电池、第二隧道结、第二渐变过渡层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池和GaAs接触层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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