[发明专利]半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 201910015643.6 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN110729246A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 张邦圣;尹煜峰;王朝勋;赵高毅;杨复凯;王美匀;张峰瑜;高承远;洪嘉阳;张家胜;孙书辉;谢志宏;潘昇良;郭国凭;吴少均 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法包含形成金属栅极结构，金属栅极结构包含栅极介电层及栅极电极。对金属栅极结构的顶表面进行表面处理，表面处理将栅极电极的顶部转变为氧化层。在栅极电极上方形成导电层，导电层的形成包含以金属元素取代氧化层中的氧。在金属栅极结构上方形成插塞部件，插塞部件与导电层直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 金属栅极结构 栅极电极 导电层 插塞部件 氧化层 栅极介电层 金属元素 顶表面 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：/n形成一金属栅极结构，其中该金属栅极结构包括一栅极介电层及一栅极电极；/n对该金属栅极结构的一顶表面进行一表面处理，其中该表面处理将该栅极电极的一顶部转变为一氧化层；/n在该栅极电极上方形成一导电层，其中该导电层的形成包括以一金属元素取代该氧化层中的氧；以及/n在该金属栅极结构上方形成一插塞部件，其中该插塞部件与该导电层直接接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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