[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910003907.6 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN110047918A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置，具备在半导体基板的内部与栅极沟槽部接触而设置的台面部，台面部在上表面的端部具有与栅极沟槽部接触的肩部，肩部具有向外侧凸的形状，台面部设置有第一导电型的发射区，其在半导体基板的上表面与漂移区之间与栅极沟槽部接触，并且掺杂浓度比漂移区高，与栅极沟槽部接触的位置处的发射区的下端在深度方向上配置于比台面部的短边方向的中央处的发射区的下端更深的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极沟槽 发射区 半导体基板 半导体装置 漂移区 上表面 肩部 下端 导电型 浓度比 位置处 中央处 短边 掺杂 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备设置有第一导电型的漂移区的半导体基板，所述半导体装置具备：栅极沟槽部，其在所述半导体基板的深度方向上从所述半导体基板的上表面设置到到达所述漂移区的位置，并且，在所述半导体基板的上表面沿预先设定的长边方向延伸地设置；以及台面部，其在所述半导体基板的内部与所述栅极沟槽部接触地设置，所述台面部在上表面的端部具有与所述栅极沟槽部接触的肩部，在与所述长边方向垂直的短边剖面中，在将所述台面部侧作为内侧，将所述栅极沟槽部侧作为外侧的情况下，所述肩部具有向外侧凸的形状，在所述台面部设置有第一导电型的发射区，所述发射区在所述半导体基板的上表面与所述漂移区之间与所述栅极沟槽部接触，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高，在将与所述深度方向和所述长边方向这两者垂直的方向作为短边方向的情况下，与所述栅极沟槽部接触的位置处的所述发射区的下端在所述深度方向上配置在比所述台面部的所述短边方向上的中央处的所述发射区的下端更深的位置。
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