[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备设置有第一导电型的漂移区的半导体基板，所述半导体装置具备：

栅极沟槽部，其在所述半导体基板的深度方向上从所述半导体基板的上表面设置到到达所述漂移区的位置，并且，在所述半导体基板的上表面沿预先设定的长边方向延伸地设置；以及

台面部，其在所述半导体基板的内部与所述栅极沟槽部接触地设置，

所述台面部在上表面的端部具有与所述栅极沟槽部接触的肩部，

在与所述长边方向垂直的短边剖面中，在将所述台面部侧作为内侧，将所述栅极沟槽部侧作为外侧的情况下，所述肩部具有向外侧凸的形状，

在所述台面部设置有第一导电型的发射区，所述发射区在所述半导体基板的上表面与所述漂移区之间与所述栅极沟槽部接触，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高，

在将与所述深度方向和所述长边方向这两者垂直的方向作为短边方向的情况下，与所述栅极沟槽部接触的位置处的所述发射区的下端在所述深度方向上配置在比所述台面部的所述短边方向上的中央处的所述发射区的下端更深的位置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述肩部具有侧壁，所述侧壁相对于所述半导体基板的上表面大致垂直地连接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述短边剖面中的所述肩部的曲率半径小于所述深度方向上的所述栅极沟槽部的中央位置处的所述台面部在所述短边方向上的宽度的15％。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述发射区具有：

上侧区域，其包含所述台面部的所述中央；以及

下侧区域，其在所述发射区与所述栅极沟槽部接触的区域从所述上侧区域向下方突出地设置，

所述下侧区域在比所述下侧区域与所述上侧区域连接的连接部分更靠下侧的位置具有短边宽幅部分，所述短边宽幅部分在所述短边方向上的宽度比所述连接部分在所述短边方向上的宽度大。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述发射区具有：

上侧区域，其包含所述台面部的所述中央；以及

下侧区域，其在所述发射区与所述栅极沟槽部接触的区域从所述上侧区域向下方突出地设置，

在所述短边剖面中，所述上侧区域的下表面与所述下侧区域的侧面大致垂直地连接。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，

在所述短边剖面中，所述上侧区域的下表面与所述下侧区域的侧面所成的角度小于所述上侧区域的上表面与所述肩部的侧壁所成的角度。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述发射区与所述栅极沟槽部接触的区域，所述发射区的所述深度方向上的掺杂浓度分布在与所述下侧区域和所述上侧区域的连接部分对应的位置具有极小值。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述台面部与所述栅极沟槽部接触的区域的、与所述台面部的所述短边方向垂直的长边剖面中，所述下侧区域在比所述下侧区域与所述上侧区域连接的连接部分更靠下侧的位置具有长边宽幅部分，所述长边宽幅部分在所述长边方向上的宽度比所述连接部分在所述长边方向上的宽度大。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述长边宽幅部分在所述长边方向上比所述连接部分突出的长度是0.1μm以上且0.3μm以下。

10.根据权利要求4至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述台面部具有：

第二导电型的基区，其设置于所述发射区的下方；以及

第二导电型的接触区，其在所述长边方向上与所述发射区交替地配置，并且掺杂浓度比所述基区的掺杂浓度高，

所述接触区与所述下侧区域和所述上侧区域的连接部分接触。