[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201880099607.6 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN113169229A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 田中梨菜;菅原胜俊;福井裕;八田英之;宫田祐辅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 漂移层(2)包括碳化硅，具有第1导电类型。至少1个沟槽(6)具有面对肖特基势垒二极管区域(RD)的第1侧面(SD1)和在晶体管区域(RT)延伸且与源极区域(3)、体区域(5)及漂移层(2)相接的第2侧面(SD2)。第1保护区域(51)设置于至少1个沟槽(6)的下方，具有第2导电类型，相比于体区域(5)，第2导电类型的杂质浓度更高。第2保护区域(52)从第1保护区域(51)延伸，到达第1侧面(SD1)和第2侧面(SD2)的与第1侧面(SD1)连接的端部区域(SD2b)的至少任意一个，具有比体区域(5)的最下部浅的最上部，相比于体区域(5)，第2导电类型的杂质浓度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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