[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201880096916.8 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112640125A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 押野雄一 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 邓毅;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种沟槽栅型IGBT，具备：第1导电型的第1半导体区(10)；第1导电型的第2半导体区(20)，其配置在第1半导体区(10)的主面，并且杂质浓度比第1半导体区(10)高；第2导电型的第3半导体区(30)，其配置在第2半导体区(20)的上表面，并且以沿着膜厚方向具有多个峰值的杂质浓度分布添加有杂质；以及第1导电型的第4半导体区(40)，其配置在第3半导体区(30)的上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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