[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

从第1导电型的第1半导体区的一方的主面注入杂质，形成杂质浓度比所述第1半导体区高的第1导电型的第2半导体区的工序；

在所述第2半导体区上形成沿着膜厚方向的杂质浓度分布具有多个峰值的第2导电型的第3半导体区的工序；

在所述第3半导体区的上表面形成第1导电型的第4半导体区的工序；

在从所述第4半导体区延伸并贯穿所述第3半导体区的槽的内壁形成栅绝缘膜的工序；

以隔着所述栅绝缘膜而与所述第3半导体区的侧面相对的方式在所述槽的内部形成控制电极的工序；

在所述第1半导体区的另一方的主面形成杂质浓度比所述第1半导体区高的第1导电型的第5半导体区的工序；以及

隔着所述第5半导体区而在所述第1半导体区的所述另一方的主面形成第2导电型的第6半导体区的工序，

形成所述第3半导体区的工序包括向所述第1半导体区的不同深度多次注入第2导电型的杂质的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

使向所述第3半导体区注入第2导电型的杂质的深度的间隔比沿着所述槽的所述第2半导体区的膜厚短。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

使沿着所述槽的所述第3半导体区的膜厚比沿着所述槽的所述第2半导体区的膜厚厚。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

将所述第3半导体区形成为，在所述第3半导体区的沿着所述槽的所述杂质浓度分布中靠近所述第2半导体区的一侧的所述峰值的杂质浓度比靠近所述第4半导体区的一侧的所述峰值的杂质浓度高。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

不单独进行向所述第2半导体区注入的第1导电型的杂质的扩散、向所述第3半导体区注入的第2导电型的杂质的扩散、以及向所述第4半导体区注入的第1导电型的杂质的扩散，通过1次加热工序同时进行所述第2半导体区、所述第3半导体区以及所述第4半导体区中的杂质的扩散。

6.一种半导体装置，其特征在于，其具备：

第1导电型的第1半导体区；

第1导电型的第2半导体区，其配置在所述第1半导体区的第1主面，并且杂质浓度比所述第1半导体区高；

第2导电型的第3半导体区，其配置在所述第2半导体区的上表面，并且以沿着膜厚方向具有多个峰值的杂质浓度分布添加有杂质；

第1导电型的第4半导体区，其配置在所述第3半导体区的上表面；

栅绝缘膜，其配置在从所述第4半导体区的上表面延伸并贯穿所述第3半导体区的槽的内壁；

控制电极，其以隔着所述栅绝缘膜而与所述第3半导体区的侧面相对的方式配置在所述槽的内部；

第1导电型的第5半导体区，其配置在所述第1半导体区的与所述第1主面相对的第2主面，并且杂质浓度比所述第1半导体区高；以及

第2导电型的第6半导体区，其隔着所述第5半导体区而配置在所述第1半导体区的所述第2主面。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

沿着所述槽的所述第3半导体区的膜厚比沿着所述槽的所述第2半导体区的膜厚厚。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

当将所述第3半导体区的沿着所述槽的所述杂质浓度分布中的从极小值到隔着一个所述峰值的相邻的极小值为止设为杂质浓度的凸状区域时，所述杂质浓度分布中所包含的多个所述凸状区域在膜厚方向上的各自的宽度比沿着所述槽的所述第2半导体区的膜厚短。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第3半导体区的沿着所述槽的所述杂质浓度分布中，靠近所述第2半导体区的一侧的所述峰值的杂质浓度比靠近所述第4半导体区的一侧的所述峰值的杂质浓度高。

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

沿着所述槽的所述第2半导体区的膜厚小于1μm。