[发明专利]用于半导体处理的室部件的非原位涂覆在审
| 申请号： | 201880089300.8 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111989768A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 袁光璧;泰迪亚斯·班福德;柯蒂斯·沃伦·贝利;托尼·考沙尔;克里希纳·比鲁;威廉·施洛瑟;达莫达·尚巴格;龚波;邱华檀;赖锋源;许晨华;杰弗里·霍恩;罗希特·哈雷;伦纳德·韦·丰·许;阿南德·查德拉什卡;安德鲁·H·布伦宁格;刘刚 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在非原位原子层沉积处理中形成保护涂层以涂覆一或多个后续被安装至反应室中的室部件，提供了与传统的涂覆方法如底涂层的原位沉积相比的许多优点。在某些情况下，保护涂层可具有特定的组成，如铝的氧化物、铝的氟化物、铝的氮化物、钇的氧化物和/或钇的氟化物。保护涂层可有助于减少利用经涂覆的室部件处理的晶片上的污染。另外，保护涂层可起作用以稳定反应室内的处理条件，由此在处理许多批次晶片的过程期间达到非常稳定/均匀的处理结果，并且最少化自由基损失。还描绘了许多可用于恢复在经涂覆的室部件用于处理半导体晶片之后的保护涂层的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 处理 部件 原位 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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