[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201880088719.1 申请日: 2018-02-06
公开(公告)号: CN111699560A 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 竹本圭佑;林哲也;倪威;丸井俊治;田中亮太;山上滋春 申请(专利权)人: 日产自动车株式会社
主分类号: H01L29/872 分类号: H01L29/872;H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张劲松
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置具备:在基板的主面形成的主槽、与主槽的表面接触而形成的半导体区域、至少与主槽的侧面的相反侧的半导体区域的表面接触而形成并在半导体区域产生二维电子气体层的电子供给区域、与二维电子气体层接触且相互分离而形成的第一电极和第二电极。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
暂无信息
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