[发明专利]半导体装置

说明书

半导体装置具备：在基板的主面形成的主槽、与主槽的表面接触而形成的半导体区域、至少与主槽的侧面的相反侧的半导体区域的表面接触而形成并在半导体区域产生二维电子气体层的电子供给区域、与二维电子气体层接触且相互分离而形成的第一电极和第二电极。

技术领域

本发明涉及一种半导体装置。

背景技术

目前，公知具有AlGaN/GaN的异质结构的高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilitYTransistor)器件(AlGaN/GaN-HEMT或GaN-HEMT))(参照专利文献1)。在专利文献1中，GaN半导体基板通过在硅基板上依次层叠缓冲层、沟道层(GaN层)、肖特基层(AlGaN层)和盖层(GaN层)而构成。封闭在沟道层和快照键之间的异质结附近的电子(二维电子气体：2DEG)的迁移率大，由源极-漏极之间流动的二维电子气体产生的电流由施加到栅极的电压来控制。

现有专利文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-120694号公报

然而，在专利文献1的GaN-HEMT中，源电极及漏电极与盖层接触而形成，经由盖层和肖特基层，电连接到异质接附近的二维电子气体层。因此，由于二维电子气体产生的电流经由盖层及肖特基层流向源电极或漏电极，因此，GaN-HEMT的高电子迁移率受到损害，通态电阻会变高。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而创立的，其目的在于提供一种能够降低通态电阻的半导体装置。

本发明的一方式的半导体装置具备：基板；主槽，其在基板的主面形成；半导体区域，其与主槽的表面接触而形成；电子供给区域，其与至少主槽的侧面的相反侧的半导体区域的表面接触而形成，并使二维电子气体层(two-dimensional electron gas layer)在半导体区域产生；第一电极及第二电极，其与二维电子气体层接触且相互分离而形成。

发明的效果

根据本发明，能够降低通态电阻。

附图说明

图1A是说明第一实施方式的半导体装置的结构的立体图。

图1B是沿着图1A的A-A截面的剖面图。

图2A是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图。

图2B是沿着图2A的A-A截面的剖面图。

图3A是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图。

图3B是沿着图3A的A-A截面的剖面图。

图4A是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图。

图4B是沿着图4A的A-A截面的剖面图。

图5A是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图。

图5B是沿着图5A的A-A截面的剖面图。

图6A是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图。

图6B是沿着图6A的A-A截面的剖面图。

图7A是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图。

图7B是沿着图7A的A-A截面的剖面图。

图8A是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图。

图8B是沿着图8A的A-A截面的剖面图。

图9A是说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的立体图。