[发明专利]用于在半导体晶圆的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置有效
| 申请号： | 201880079351.2 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111433891B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | J·哈贝雷希特;R·施泰因;S·海因里希 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/687;C30B25/10;C30B25/12;C30B29/06;C23C16/458 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘佳斐 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于在由单晶材料构成的半导体晶圆的正面上沉积外延层的方法，包括：提供半导体晶圆；将该半导体晶圆设置在基座上；借助于导向该半导体晶圆的正面和后面的热辐射将该半导体晶圆加热到沉积温度；在该半导体晶圆的正面上方引导沉积气体；和选择性地减小导向该半导体晶圆的后面的一部分热辐射的强度，其结果是在该半导体晶圆的边缘处的第一局部区域与相邻的第二局部区域相比，被更弱地加热，由于单晶材料的取向，在给定该半导体晶圆的均匀温度的情况下，在该第一局部区域中外延层的生长速率比在相邻的该第二局部区域中的更大。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 面上 沉积 外延 方法 实施 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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