[发明专利]沉积半导体膜的方法有效
| 申请号： | 201880051523.5 | 申请日： | 2018-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110998791B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 徐翼;仓见隆;艾弗里·V·劳格特;维卡什·班提亚;张媚;大藤和也 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/56;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种用于在半导体处理腔室中于基板上形成膜的方法，包括使用等离子体增强工艺以及氯基气体、氢气、和惰性气体的气体混合物在基板上形成第一层。之后净化所述处理腔室，且以氢基前驱气体热浸泡所述第一层。之后再次净化所述处理腔室，且可用所述等离子体增强工艺或不用所述等离子体增强工艺重复上述处理，直到在基板上达到一定的膜厚度为止。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 半导体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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