[发明专利]使用反应性气体前驱物从处理腔室选择性原位清洁高介电常数膜在审
| 申请号： | 201880037238.8 | 申请日： | 2018-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110785829A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 翟宇佳;戴文清;赵来;芮祥新;尹东基;元泰景;崔寿永 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文所述的实施方式大体涉及用于从基板处理腔室的一或多个内表面原位去除不需要的沉积累积物的方法和装置。在一实施方式中，提供一种用于清洁处理腔室的方法。所述方法包含将反应性物种引入具有残余的含ZrO | ||
| 搜索关键词： | 残余的 处理腔室 内表面 去除 反应性物种 挥发性产物 基板处理腔室 方法和装置 清洁处理腔 反应物种 原位去除 累积物 膜形成 沉积 引入 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种用于清洁处理腔室的方法，包含：/n将反应性物种引入具有残余的含ZrO
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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