[发明专利]使用反应性气体前驱物从处理腔室选择性原位清洁高介电常数膜

说明书

本文所述的实施方式大体涉及用于从基板处理腔室的一或多个内表面原位去除不需要的沉积累积物的方法和装置。在一实施方式中，提供一种用于清洁处理腔室的方法。所述方法包含将反应性物种引入具有残余的含ZrO₂膜的处理腔室中，所述残余的含ZrO₂膜形成在处理腔室的一或多个内表面上。反应物种由BCl₃形成，并且一或多个内表面包括至少一个暴露的Al₂O₃表面。所述方法进一步包含使残余的含ZrO₂膜与反应性物种反应以形成挥发性产物。所述方法进一步包含从处理腔室去除挥发性产物，其中残余的含ZrO₂膜的去除速率大于Al₂O₃的去除速率。

技术领域

本文描述的实施方式大体涉及用于从基板处理腔室的一或多个内表面原位去除不需要的沉积累积物的方法和装置。

背景技术

显示装置已被广泛地用于各种电子应用，诸如电视(TV)、监视器、移动电话、MP3播放器、电子书阅读器、个人数字助理(personal digital assistant；PDA)等。显示装置通常被设计用于通过施加电场至液晶来产生图像，所述液晶填充两个基板(例如，像素电极和公共电极)之间的间隙并且具有控制介电场强度的各向异性介电常数。通过调整透射通过基板的光的量，可有效地控制光和图像强度、质量和功耗。

各种不同的显示装置(诸如有源矩阵液晶显示器(active matrix liquidcrystal display；AMLCD)或有源矩阵有机发光二极管(active matrix organic lightemitting diode；AMOLED))可用作显示器的光源。在显示装置的制造中，具有高电子迁移率、低泄漏电流和高击穿电压的电子装置将允许更多的用于光透射的像素区域和电路集成，从而产生更明亮的显示、更高的整体电效率、更快的响应时间和更高分辨率的显示。在装置中形成的材料层(诸如具有杂质或低膜密度的介电层)的低膜质量通常导致装置的电气性能差且装置的使用寿命短。因此，为了用于制造具有较低阈值电压偏移的电子装置和提高优选的电子装置的整体性能，用于在TFT和OLED装置内形成和集成膜层以提供具有低膜泄漏和高击穿电压的稳定且可靠的方法变得至关重要。

特别地，因为金属电极层与附近的绝缘材料之间的界面的材料选择不当可能会不利地导致不希望的元素扩散至相邻材料中，如此可能最终导致电流短路、电流泄漏或装置故障，所以金属电极层与附近的绝缘材料之间的界面管理变得至关重要。此外，具有不同的较高介电常数的绝缘材料通常提供不同的电气性能，诸如在装置结构中提供不同电容。绝缘材料的材料选择不仅影响装置的电气性能，而且绝缘材料的材料与电极之间的不相容性也可导致膜结构剥落、不良的界面附着或界面材料扩散，如此可最终导致装置故障和低产品良率。

在一些装置中，当显示装置在操作中时，电容器(例如，放置在两个电极之间的介电层)通常被利用且形成以存储电荷。所形成的电容器需要具有用于显示装置的高电容。可通过改变形成在电极之间的介电层的介电材料和尺寸和/或介电层的厚度来调整电容。例如，当介电层由具有更高介电常数的材料(例如，氧化锆)替代时，电容器的电容也将增加。

随着对显示装置的分辨率要求变得日益具有挑战性(例如，大于2,000像素/英寸(pixel per inch；PPI)的显示分辨率)，显示装置具有用于形成电容器以增加电气性能的有限面积。因此，将显示装置中形成的电容器保持在具有相对小面积的有限位置中已变得至关重要。已发现诸如氧化锆的更高介电常数材料以实现更高分辨率的显示装置。然而，氧化锆的沉积不限于基板并且通常在整个处理腔室的内部形成残余膜。此不期望的残余沉积可在腔室之内产生颗粒和薄片，从而导致工艺条件的漂移，如此影响工艺可重复性和均匀性。