[发明专利]使用反应性气体前驱物从处理腔室选择性原位清洁高介电常数膜

权利要求书

1.一种用于清洁处理腔室的方法，包含：

将反应性物种引入具有残余的含ZrO₂膜的处理腔室中，所述残余的含ZrO₂膜形成在所述处理腔室的一或多个内表面上，其中所述反应性物种由BCl₃形成，并且所述一或多个内表面包括至少一个暴露的Al₂O₃表面；

使所述残余的含ZrO₂膜与所述反应性物种反应以形成挥发性产物；和

从所述处理腔室去除所述挥发性产物，其中所述残余的含ZrO₂膜的去除速率大于Al₂O₃的去除速率。

2.如权利要求1所述的方法，其中Al₂O₃的所述去除速率是

3.如权利要求1所述的方法，进一步包含将所述反应性物种暴露于一或多个能量源，所述能量源足以使所述残余的含ZrO₂膜与所述反应性物种反应并且形成挥发性产物。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述一或多个能量源选自电容耦合等离子体源、电感耦合等离子体源和微波等离子体源。

5.如权利要求1所述的方法，其中使所述残余的含ZrO₂膜与所述反应性物种反应以形成挥发性产物的压力是在至少约10毫托与约5托之间。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述处理腔室是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室、原子层沉积(ALD)腔室和物理气相沉积(PVD)腔室。

7.如权利要求1所述的方法，其中使所述残余的含ZrO₂膜与所述反应性物种反应以形成挥发性产物是无偏压工艺。

8.如权利要求1所述的方法，其中在使所述残余的含ZrO₂膜与所述反应性物种反应以形成挥发性产物时不施加外部直流偏压。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包含：

当施加外部直流偏压时，使所述含Al₂O₃膜与所述反应性物种反应以形成第二挥发性产物；以及

从所述处理腔室中去除所述第二挥发性产物。

10.一种用于清洁处理腔室的方法，包含：

在处理腔室的一或多个内表面和设置在基板处理腔室中的基板上沉积含ZrO₂膜；

将所述基板传送出所述基板处理腔室；

将反应性物种引入具有残余的所述含ZrO₂膜的所述处理腔室中，残余的所述含ZrO₂膜形成在所述处理腔室的一或多个内表面上，其中所述反应性物种由BCl₃形成，并且所述一或多个内表面包括至少一个暴露的Al₂O₃表面；

使残余的所述含ZrO₂膜与所述反应性物种反应以形成挥发性产物；和

从所述处理腔室去除所述挥发性产物，其中残余的所述含ZrO₂膜的去除速率大于Al₂O₃的去除速率。

11.如权利要求10所述的方法，其中Al₂O₃的所述去除速率是

12.如权利要求10所述的方法，进一步包含使所述反应性物种暴露于一或多个能量源，所述能量源足以使残余的所述含ZrO₂膜与所述反应性物种反应并且形成挥发性产物。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述一或多个能量源选自电容耦合等离子体源、电感耦合等离子体源和微波等离子体源。