[发明专利]半导体装置以及电力变换装置有效
| 申请号： | 201880035781.4 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110709997B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 福井裕;菅原胜俊;八田英之;纐缬英典;田中梨菜;宫田祐辅 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李今子 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有沟槽栅的半导体装置，具备：第1半导体层；第1半导体区域，选择性地设置于第1半导体层的上层部；第2半导体区域，与第1半导体区域相接地设置；第3半导体区域，与第1及第2半导体区域的底面相接地设置；栅沟槽，在厚度方向贯通第1及第3半导体区域而到达第1半导体层内；电场缓和区域，与栅沟槽的底部相接；以及连接层，以与第2方向上的至少一方的沟槽侧壁相接的方式在第1半导体层内隔开间隔而设置有多个，对电场缓和区域和第3半导体区域进行电连接，其中，所述第2方向和与栅沟槽的延伸方向平行的第1方向垂直，连接层沿着第1方向相互隔离地设置有多个。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 电力 变换 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：/n第1导电类型的第1半导体层；/n第1导电类型的第1半导体区域，选择性地设置于所述第1半导体层的上层部；/n第2导电类型的第2半导体区域，在所述第1半导体层的上层部与所述第1半导体区域相接地设置；/n第2导电类型的第3半导体区域，与所述第1半导体区域及所述第2半导体区域的底面相接地设置；/n栅沟槽，以在厚度方向贯通所述第1半导体区域及所述第3半导体区域的方式设置有多个，其底面到达所述第1半导体层内；/n第2导电类型的电场缓和区域，以与所述栅沟槽的底部相接的方式设置；/n层间绝缘膜，在所述第1半导体区域及所述第2半导体区域的上方具有触点开口部；/n连接层，以与和与所述栅沟槽的延伸方向平行的第1方向垂直的第2方向上的至少一方的沟槽侧壁相接的方式在所述第1半导体层内隔开间隔而设置有多个，对所述电场缓和区域和所述第3半导体区域进行电连接，；/n第1主电极，覆盖所述层间绝缘膜上面，并且埋入于所述触点开口部内；以及/n第2主电极，设置于所述第1半导体层的与设置有所述第1主电极的一侧相反的主面侧，/n所述连接层沿着所述第1方向相互隔离地设置有多个。/n
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