[发明专利]光电转换器件和摄像器件在审
| 申请号： | 201880026588.4 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110546766A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 三成英树;丸山俊介 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/10;H01L31/107 |
| 代理公司： | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 曹正建;陈桂香<国际申请>=PCT/JP |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光电转换器件，其包括：光吸收层，其具有光入射面，并包括化合物半导体材料；针对每个像素设置的第一电极，其与所述光吸收层的所述光入射面的相对面具有对向关系；第一导电型的第一半导体层，所述第一半导体层的带隙能大于所述光吸收层的带隙能，并设置在所述光吸收层和所述第一电极之间；第二导电型的第二半导体层，所述第二半导体层的带隙能大于所述光吸收层的带隙能，并设置在所述第一半导体层和所述光吸收层之间；和第二导电型的第一扩散区域，所述第一扩散区域设置在相邻的所述像素之间，并设置为跨越所述第二半导体层和所述光吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 光吸收层 半导体层 带隙能 导电型 第一电极 扩散区域 化合物半导体材料 光电转换器件 光入射面 像素设置 光入射 对向 面具 像素 | ||
【主权项】：
1.一种光电转换器件，其包括：/n光吸收层，其具有光入射面，并包括化合物半导体材料；/n针对每个像素设置的第一电极，其与所述光吸收层的所述光入射面的相对面具有对向关系；/n第一导电型的第一半导体层，所述第一半导体层的带隙能大于所述光吸收层的带隙能，并设置在所述光吸收层和所述第一电极之间；/n第二导电型的第二半导体层，所述第二半导体层的带隙能大于所述光吸收层的带隙能，并设置在所述第一半导体层和所述光吸收层之间；和/n第二导电型的第一扩散区域，所述第一扩散区域设置在相邻的所述像素之间，并设置为跨越所述第二半导体层和所述光吸收层。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880026588.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：固体摄像装置以及摄像装置
- 下一篇：半导体装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
