[发明专利]膜形成组合物以及使用了其的膜形成方法

摘要

[问题]本发明提供一种可形成气体阻隔性能优异的膜的膜形成组合物与膜形成方法。[解决手段]一种膜形成组合物，其特征在于，包含聚硅氮烷、有机溶剂以及具有特定结构的添加剂；以及一种膜形成方法，其包含以下的工序：将该组合物涂布于基板，进行曝光。此特定的添加剂是：在结构中具有由从由碳、氮以及氧组成的组中选出的原子构成的非共轭系环状结构的添加剂之中的、由特定的通式表示的添加剂。

主权项

1.一种膜形成组合物，其包含：/n聚硅氮烷、/n有机溶剂、以及/n从由下述通式(A)～(H)表示的化合物组成的组中选出的至少1种添加剂：/n /n式中，/nL^A1为C_1～7亚烷基或者C_1～7杂亚烷基，/nL^A2各自独立地为C_1～3亚烷基，/nR^A各自独立地为氢或者C_1～3烷基，/n /n式中，/nL^B为C_1～6亚烷基或者C_1～6杂亚烷基，/nR^B各自独立地为氢或者C_1～3烷基，/npB为1或2，/n /n式中，/nL^C各自独立地为C_1～7亚烷基或者C_1～7杂亚烷基，/nR^C为氢或者C_1～3烷基，/n /n式中，/nL^D各自独立地为C_3～10亚烷基或者C_1～10杂亚烷基，/nR^D各自独立地为氢或者C_1～3烷基，/n /n式中，/nL^E为C_3～9亚烷基或者C_3～9杂亚烷基，/nR^E各自独立地为C_1～6烷基、C_1～6杂烷基、C_4～10环烷基、或者C_4～10杂环烷基，/n /n式中，/nL^F各自独立地为C_1～4亚烷基或者C_1～4杂亚烷基，/nR^F1为氢或者C_1～3烷基，/nR^F2是包含1个以上的氮的C_4～10杂烷基或者C_4～12杂环烷基，/n /n式中，/nL^G是C_3～9亚烷基或者C_3～9杂亚烷基，/nR^G是C_1～4烷基或者C_1～4杂烷基，/n此处，L^G或者R^G包含1个以上的氮，/n /n式中，/nL^H是C_1～6亚烷基，/nR^H各自独立地为氢、C_1～12烷基或者C_4～15环烷基，此处，R^H中的至少一个为C_4～15环烷基。/n