[发明专利]半导体本体有效
| 申请号： | 201880015306.0 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN110383505B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 约阿希姆·赫特功;马库斯·恩希费尔德 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L31/0304;H01L33/12;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王逸君;丁永凡 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提出一种半导体本体(10)，所述半导体本体具有：‑p型掺杂区域(20)，‑有源区域(30)，‑中间层(40)，和‑层堆(41)，所述层堆包含铟，其中层堆(41)中的铟浓度沿着堆叠方向(z)改变，并且层堆(41)除了掺杂材料以外借助刚好一种氮化物化合物半导体材料形成，其中‑中间层(40)名义上不具有铟，设置在层堆(41)和有源层(30)之间并且直接邻接于层堆(41)，‑中间层(40)和/或层堆(41)是至少局部n型掺杂的，‑层堆(41)的掺杂材料浓度至少为5*10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 本体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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