[发明专利]半导体本体

说明书

提出一种半导体本体(10)，所述半导体本体具有：‑p型掺杂区域(20)，‑有源区域(30)，‑中间层(40)，和‑层堆(41)，所述层堆包含铟，其中层堆(41)中的铟浓度沿着堆叠方向(z)改变，并且层堆(41)除了掺杂材料以外借助刚好一种氮化物化合物半导体材料形成，其中‑中间层(40)名义上不具有铟，设置在层堆(41)和有源层(30)之间并且直接邻接于层堆(41)，‑中间层(40)和/或层堆(41)是至少局部n型掺杂的，‑层堆(41)的掺杂材料浓度至少为5*10¹⁷l/cm³并且最大为2*10¹⁸l/cm³，并且‑中间层(40)的掺杂材料浓度至少为2*10¹⁸l/cm³并且最大为3*10¹⁹l/cm³。

技术领域

本发明提出一种半导体本体。

发明内容

要实现的目的在于，提出一种半导体本体，所述半导体本体能够有效地运行和制造。

在此所描述的半导体本体尤其可以基于III/V族化合物半导体材料。在此，尤其可能的是，半导体本体基于氮化物化合物半导体材料。

根据半导体本体的至少一个实施方式，半导体本体包括p型掺杂区域。p型掺杂区域用至少一种p型掺杂材料掺杂。p型掺杂区域可以包括一个或多个p型掺杂的半导体层。此外，p型掺杂区域在半导体本体的整个横向扩展之上延伸。半导体本体的横向扩展横向于、尤其垂直于半导体本体的堆叠方向。

根据至少一个实施方式，半导体本体包括有源区域。在有源区域上可以设置有p型掺杂区域。在有源区域中，在运行中承担半导体本体的功能。例如，有源区域可以设置用于，发射或探测电磁辐射。于是半导体本体是光电子构件的一部分。有源区域例如可以包括多个交替设置的量子阱层和阻挡层。还可能的是，半导体本体是电子构件、如二极管、晶体管或集成电路的一部分。有源区域于是相应地构成。

根据至少一个实施方式，半导体本体包括中间层。中间层可以直接邻接于有源区域并且有源区域可以生长到中间层上。中间层可以借助半导体材料形成。例如，中间层可以借助氮化物化合物半导体材料、如氮化镓(GaN)形成。氮化物化合物半导体材料的材料组成在中间层之内尤其在制造公差的范围内不改变。

根据至少一个实施方式，半导体本体包括层堆，所述层堆包含铟，其中层堆中的铟浓度沿着堆叠方向改变，并且层堆除了掺杂材料以外借助刚好一种氮化物化合物半导体材料形成。在此，刚好一种氮化物化合物半导体材料例如表示，层堆可以具有浓度小于5％的杂质或外来原子。优选地，层堆具有浓度小于1％的杂质或外来原子。中间层可以施加、例如生长在层堆上。层堆可以包括不同的半导体层。由此，层堆可以借助半导体材料形成，所述半导体材料包含铟。

半导体本体的堆叠方向对应于层堆的堆叠方向。层堆中的铟浓度沿着堆叠方向不是恒定的。也就是说，层堆中的铟浓度例如可以沿堆叠方向升高或降低。可能的是，层堆中的铟浓度线性地或以其他方式和方法改变。优选地，层堆中的铟浓度近似连续地或连续地改变。为此，铟的温度或供应例如可以在层堆的生长期间近似连续地或连续地改变。沿横向方向，层堆中的铟浓度可以是恒定的。

层堆借助氮化物化合物半导体材料形成。也就是说，整个层堆借助相同的半导体材料形成，并且层堆的不同区域仅在其铟浓度方面和可能在其掺杂材料浓度方面彼此不同。例如，层堆可以借助氮化铟镓(InGaN)形成。

通过层堆包含铟，可以避免或至少减少不期望的渗入进而在有源区域中的杂质的浓度。由此，半导体本体可以更有效地运行。

通过层堆借助刚好一种氮化物化合物半导体材料形成，半导体本体可以简单地制造。此外，层堆可以贡献于抵御静电放电。